[發明專利]一種取段結晶工藝

在審

• 申請號: 202010116913.5
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN113373508A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 趙國偉;徐強;高潤飛;王林;谷守偉;王建平;周澤;楊志;吳樹飛;劉振宇;劉學;劉有益;皇甫亞楠;楊瑞峰;郭志榮
• 申請（專利權）人: 內蒙古中環協鑫光伏材料有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發明提供一種取段結晶工藝，包括以下步驟，下降坩堝；降低單晶轉速與坩堝轉速；預制結晶功率，控制坩堝內硅溶液的溫度，便于復投原料熔化結晶。本發明的有益效果是控制坩堝的位置、單晶的轉速、坩堝的轉速和結晶功率，實現取段復投結晶過程中自動化程度高，降低人員勞動強度，提高生產效率。

技術領域

本發明屬于硅單晶制備技術領域，尤其是涉及一種取段結晶工藝。

背景技術

現有的技術只能實現一部分自動化功能，只能自動將單晶提升至副室中，并不能自動下降坩堝，不能自動設定晶轉、堝轉，不能預制結晶功率，這些都需要手動操作，如果操作人員技能不熟練，沒有及時降晶轉，單晶爐會以斷苞時的大晶轉提升單晶，取段過程中會增加絞鋼纜掉單晶風險；如果操作人員沒有及時下降坩堝，可能會出現噴硅，造成生產異常；如果操作人員沒有及時給定結晶功率，會導致溫度偏高，無法滿足復投條件，出現工時浪費的情況。

發明內容

鑒于上述問題，本發明要解決的問題是提供一種取段結晶工藝，應用于直拉單晶取段復投階段結晶時，自動化進行坩堝的位置、坩堝的轉速、單晶的轉速和結晶功率的調節，自動化程度高，降低操作人員的勞動強度，提高生產效率。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：一種取段結晶工藝，包括以下步驟，

下降坩堝；

降低單晶轉速與坩堝轉速；

預制結晶功率，控制坩堝內硅溶液的溫度，便于復投原料熔化結晶。

進一步的，下降坩堝步驟中坩堝的下降距離為30-50mm。

進一步的，降低單晶轉速與坩堝轉速步驟中單晶的轉速為2-5rap/min。

進一步的，降低單晶轉速與坩堝轉速步驟中單晶的轉速為3-8rap/min

進一步的，預制結晶功率包括分別預制主加熱器功率和底部加熱器功率。

進一步的，主加熱器功率為50-60kw。

進一步的，底部加熱器功率為0-10kw。

進一步的，在坩堝的自動下降之前，還進行單晶的提升。

由于采用上述技術方案，在直拉單晶過程中的取段復投時，控制坩堝的位置、單晶的轉速、坩堝的轉速和結晶功率，實現取段復投結晶過程中自動化程度高，降低人員勞動強度，提高生產效率，避免出現由于液口距過近，導致噴硅異常，降低絞鋼纜和掉單晶的風險，及時結晶，保證滿足復投條件，保證了拉晶過程工藝標準的統一。

附圖說明

圖1是本發明的一實施例的流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本實施例進行說明。

圖1示出了本發明一實施例的工藝流程圖，本實施例涉及一種取段結晶工藝，用于在直拉單晶過程中取段復投時使用，在取段復投時，進行自動控制坩堝的位置、單晶的轉速和結晶功率，控制坩堝內的硅溶液的溫度，控制取段結晶，避免出現由于液口距過近，導致噴硅異常，降低絞鋼纜和掉單晶的風險，及時結晶，保證滿足復投條件。

一種取段結晶工藝，應用于直拉單晶取段復投時，包括以下步驟：

下降坩堝，調節坩堝的位置，控制坩堝進行下降，避免出現由于液口距過近，導致噴硅異常；

降低單晶轉速與坩堝轉速，調節單晶的轉速和坩堝的轉速，降低單晶的轉速和坩堝的轉速，便于對坩堝內硅溶液加熱，降低絞鋼纜和掉單晶的風險；

預制結晶功率，調節加熱器的功率，對坩堝內硅溶液進行加熱，便于復投原料熔化結晶，及時結晶，保證滿足復投條件，進而控制坩堝內硅溶液的溫度，便于復投原料的熔化，進行再次拉晶。