[發明專利]閃存器件的形成方法

有效

• 申請號: 202010116390.4
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111199978B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 周海洋;沈思杰
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11531
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種閃存器件的形成方法，其特征在于，所述閃存器件的形成方法包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括外圍區和存儲區，所述存儲區的所述半導體襯底上形成有結構層和氮化層，所述氮化層覆蓋所述結構層和所述存儲區的所述半導體襯底；

形成多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋所述氮化層和所述外圍區的所述半導體襯底；

去除所述多晶硅層的部分，以暴露出所述氮化層以及在所述外圍區的所述多晶硅層中形成一開口，且所述開口將所述外圍區的所述多晶硅層分為第一多晶硅層和第二多晶硅層，所述第二多晶硅層較所述第一多晶硅層靠近所述氮化層；

去除所述氮化層，以暴露出所述半導體襯底的部分和所述結構層；

形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層覆蓋暴露出的所述半導體襯底、所述結構層和所述第一多晶硅層的部分；

去除所述第一多晶硅層的部分和部分厚度的所述第二多晶硅層；

去除所述圖形化的光刻膠層的部分，以暴露出所述結構層；以及，

去除所述結構層的部分和剩余的所述第二多晶硅層。

2.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底包括一基底和位于所述基底中的氧化硅層，所述氧化硅層的表面露出于所述基底的表面，所述結構層、所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層均位于所述氧化硅層上，且所述基底包括所述外圍區和所述存儲區。

3.如權利要求2所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述結構層包括浮柵層和位于所述浮柵層上的控制柵層，所述浮柵層位于所述氧化硅層的表面。

4.如權利要求3所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，去除所述結構層的部分包括，去除所述浮柵層的部分和所述控制柵層的部分。

5.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述結構層中形成有一保護層，且所述保護層貫穿所述結構層。

6.如權利要求5所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述保護層的表面露出于所述結構層的表面。

7.如權利要求6所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述保護層的材質為多晶硅、氮化硅和氧化硅其中的一種或者多種組合。

8.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，在去除所述多晶硅層的部分，以暴露出所述氮化層以及在所述外圍區的所述多晶硅層中形成一開口的步驟中，所述氮化層的表面與所述第二多晶硅層的表面平齊。

9.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕去除所述第一多晶硅層的部分和部分厚度的所述第二多晶硅層以及去除所述結構層的部分和剩余的所述第二多晶硅層。

10.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，通過濕法刻蝕去除所述氮化層，所述濕法刻蝕采用的溶液為磷酸。