[發(fā)明專利]一種超低損耗低端理想二極管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010116370.7 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN111193387A | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳石平;彭進雙 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州奧格智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/088 | 分類號： | H02M1/088;G06F1/26 |
| 代理公司： | 深圳市創(chuàng)富知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44367 | 代理人： | 彭海民 |
| 地址： | 510663 廣東省廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 損耗 低端 理想 二極管 | ||
1.一種超低損耗低端理想二極管，其特征在于：包括組合邏輯控制電路和第一NMOS管，所述組合邏輯控制電路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第一電阻和第二電阻，所述第一NMOS管的漏極連接第二NMOS管的源極和電源負極，所述第一NMOS管的源極電連接第三NMOS管的源極，所述第一NMOS管的柵極電連接第三NMOS管的漏極，所述第二NMOS管的柵極連接第二NMOS管的漏極和第三NMOS管的柵極，所述第二NMOS管的漏極通過第一電阻接電源正極，所述第三NMOS管的漏極通過第二電阻接電源正極；負載接于電源正極VCC和第一NMOS管的源極之間，當電壓load-不小于電壓GND時，NMOS管導通；反之NMOS管截止，防止GND電流進行倒灌至load-，保護load-負載電路；電源正極VCC與電源負極GND接反時，起到防反接保護作用。
2.如權(quán)利要求1所述的一種超低損耗低端理想二極管，其特征在于：所述電源正極VCC和第一NMOS管的源極之間連接負載。
3.如權(quán)利要求1所述的一種超低損耗低端理想二極管，其特征在于：所述第一NMOS管使用不同導通電流大小的NMOS管。
4.如權(quán)利要求1所述的一種超低損耗低端理想二極管，其特征在于：所述第二NMOS管、第三NMOS管為兩個同型號的NMOS管或者具有相同的參數(shù)、封裝在一起的NMOS對管。
5.如權(quán)利要求1所述的一種超低損耗低端理想二極管，其特征在于：所述組合邏輯控制電路靜態(tài)電流損耗小于微安級。
6.如權(quán)利要求1所述的一種超低損耗低端理想二極管，其特征在于：所述第一電阻和第二電阻阻值可調(diào)，以滿足低功耗要求。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
