[發(fā)明專利]OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010116296.9
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111312772B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王國英;宋振;林奕呈
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

1.一種OLED顯示基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上的有源層；

柵絕緣層，位于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；

柵極層，位于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述柵極層在所述襯底基板上的正投影與所述有源層在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，所述柵極層與所述有源層組成所述OLED顯示基板的第一存儲(chǔ)電容；

所述柵極層包括層疊設(shè)置的透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形，所述透明導(dǎo)電圖形包括與所述金屬圖形不重疊的第一部分，所述OLED顯示基板的像素開口區(qū)在所述襯底基板上的正投影落入所述第一部分在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示基板，其特征在于，還包括：

位于所述有源層朝向所述襯底基板一側(cè)的緩沖層；

位于所述緩沖層朝向所述襯底基板一側(cè)的遮光金屬層，所述遮光金屬層在所述襯底基板上的正投影與所述有源層在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，所述遮光金屬層與所述有源層組成所述OLED顯示基板的第二存儲(chǔ)電容。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示基板，其特征在于，所述有源層包括：

半導(dǎo)體部，所述半導(dǎo)體部在所述襯底基板上的正投影與所述柵極層在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域；

位于所述半導(dǎo)體部兩端的導(dǎo)體部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED顯示基板，其特征在于，還包括：

位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的層間介電層，覆蓋所述柵絕緣層和所述柵極層，其中，所述緩沖層、所述層間介電層上設(shè)置有第一過孔，所述第一過孔的正投影覆蓋至少部分所述遮光金屬層，所述層間介電層上設(shè)置有第二過孔和第三過孔，所述第二過孔的正投影覆蓋至少部分所述導(dǎo)體部，所述第三過孔的正投影覆蓋至少部分所述柵極層；

位于所述層間介電層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的源漏金屬層，用于形成驅(qū)動(dòng)晶體管的源極、漏極以及導(dǎo)電連接線，所述導(dǎo)電連接線通過所述第一過孔與所述遮光金屬層連接，通過所述第三過孔與所述柵極層連接，所述源極和所述漏極分別通過所述第二過孔與所述半導(dǎo)體部兩端的導(dǎo)體部連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED顯示基板，其特征在于，還包括：

位于所述層間介電層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的鈍化層，覆蓋所述源漏金屬層；

位于所述鈍化層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的彩膜層；

位于所述彩膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的平坦層，覆蓋所述彩膜層；

其中，所述平坦層、所述鈍化層上設(shè)置有第四過孔，所述第四過孔的正投影覆蓋至少部分所述漏極；

位于所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的第一電極，所述第一電極通過所述第四過孔與所述漏極電連接；

位于所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的像素限定層，包括像素開口區(qū)，所述像素開口區(qū)的正投影位于所述彩膜層內(nèi)；

位于所述像素開口區(qū)內(nèi)的發(fā)光層；

位于所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的第二電極。

6.一種OLED顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的OLED顯示基板以及用于封裝所述OLED顯示基板的封裝層。

7.一種OLED顯示基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成有源層；

形成柵絕緣層，所述柵絕緣層位于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；

形成柵極層，所述柵極層位于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述柵極層與所述有源層組成所述OLED顯示基板的第一存儲(chǔ)電容；

形成所述柵極層包括：

形成層疊設(shè)置的透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形，所述透明導(dǎo)電圖形包括與所述金屬圖形不重疊的第一部分，所述OLED顯示基板的像素開口區(qū)在所述襯底基板上的正投影落入所述第一部分在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的OLED顯示基板的制作方法，其特征在于，形成所述有源層之前，所述方法還包括：

在所述襯底基板上形成遮光金屬層；

在所述襯底基板上形成緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述遮光金屬層，所述有源層位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，

其中，所述遮光金屬層與所述有源層組成所述OLED顯示基板的第二存儲(chǔ)電容。