[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010116241.8 | 申請日: | 2020-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN111293127B | 公開(公告)日: | 2022-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐甲 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板及其制備方法。所述顯示面板包括襯底層、位于所述襯底層上的遮光金屬層和存儲(chǔ)電容的第一極板、位于所述襯底層上且覆蓋所述遮光金屬層和所述第一極板的緩沖層、位于所述緩沖層上的有源層和所述存儲(chǔ)電容的第二極板、位于所述緩沖層和所述有源層上的柵絕緣層、以及位于所述柵絕緣層上的源極、柵極和漏極。其中,所述源極和所述漏極的寬度均小于所述有源層的寬度。本發(fā)明通過增加有源層導(dǎo)體化面積,使有源層與源極、漏極的邊緣接觸路徑增加,利用有源層導(dǎo)體化時(shí)橫向擴(kuò)散現(xiàn)象,使源極、漏極與有源層的邊緣接觸良率增加,從而大大提升了薄膜晶體管器件的導(dǎo)通特性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法。
背景技術(shù)
目前頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管,結(jié)構(gòu)復(fù)雜、膜層較多,導(dǎo)致時(shí)間成本和物料成本消耗較高,且良率也帶來一定程度的損失,因此需開發(fā)制程減少且器件功能較好的頂柵薄膜晶體管。
現(xiàn)有技術(shù)采用源極、柵極和漏極同層制備的新制程制備顯示面板,與原有的頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管制程數(shù)量相比,節(jié)省一次金屬成膜、光刻、蝕刻以及層間絕緣層,大大節(jié)省成本,但由于與原有的頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管制程差異較大,特別是有源層。由于源極、柵極和漏極的材料為低阻抗金屬,無法使用干法蝕刻;在濕法蝕刻制程時(shí),金屬蝕刻液與有源層持續(xù)接觸,導(dǎo)致有源層的膜厚、接觸阻抗等受損嚴(yán)重;且有源層會(huì)受到兩次柵絕緣層的干法蝕刻制程處理,也會(huì)損傷有源層,會(huì)導(dǎo)致源極、漏極與有源層無法導(dǎo)通,從而導(dǎo)致薄膜晶體管器件的功能無法達(dá)成。故,有必要改善這一缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板,用于解決現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板,由于采用源極、柵極和漏極同層制備的技術(shù),在濕法蝕刻制程時(shí),金屬蝕刻液與有源層持續(xù)接觸,導(dǎo)致有源層的膜厚、接觸阻抗等受損嚴(yán)重,導(dǎo)致源極、漏極與有源層無法導(dǎo)通,從而導(dǎo)致薄膜晶體管器件的功能無法達(dá)成的技術(shù)問題。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板,包括襯底層、位于所述襯底層上的遮光金屬層和存儲(chǔ)電容的第一極板、位于所述襯底層上且覆蓋所述遮光金屬層和所述第一極板的緩沖層、位于所述緩沖層上的有源層和所述存儲(chǔ)電容的第二極板、位于所述緩沖層和所述有源層上的柵絕緣層、以及位于所述柵絕緣層上的源極、柵極和漏極。其中,所述源極通過第一過孔與所述遮光金屬層相連。所述柵絕緣層上設(shè)置有第二過孔和第三過孔,所述源極通過所述第二過孔與所述有源層的一側(cè)相連,所述漏極通過所述第三過孔與所述有源層的另一側(cè)相連。其中,所述源極和所述漏極的寬度均小于所述有源層的寬度,所述源極在所述有源層上的投影的邊緣與所述第二過孔在所述有源層上的投影的邊緣之間的垂直距離的范圍為大于0且小于或者等于2微米,所述漏極在所述有源層上的投影的邊緣與所述第三過孔在所述有源層上的投影的邊緣之間的垂直距離的范圍為大于0且小于或者等于2微米。
進(jìn)一步的,所述有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。
進(jìn)一步的,所述顯示面板還包括位于所述緩沖層上且覆蓋所述第二極板、所述源極、所述柵極和所述漏極的鈍化層、位于所述鈍化層上且對應(yīng)于所述顯示面板的透光區(qū)的色阻層、位于所述鈍化層上且覆蓋所述色阻層的保護(hù)層、位于所述保護(hù)層上的像素電極層、以及位于所述保護(hù)層和所述像素電極層上的像素定義層,其中,所述像素電極層通過第四過孔與所述源極相連。
進(jìn)一步的,所述像素定義層的材料為疏水性材料。
進(jìn)一步的,所述像素定義層的材料為非疏水性材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





