[發明專利]發光器件和顯示面板

有效

• 申請號: 202010116189.6
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111293228B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發明（設計）人: 高宇;劉孟宇;夏景成
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

1.一種發光器件，其特征在于，包括第一電極、發光層、載流子傳輸層、載流子阻擋層和第二電極；所述發光層設置于所述第一電極和所述第二電極之間，所述載流子阻擋層設置于所述發光層的至少一側表面，所述載流子傳輸層設置于所述載流子阻擋層遠離所述發光層的一側；所述發光層包括發光主體材料和客體材料；

所述發光層的發光主體材料的分子結構具有平面性，所述載流子阻擋層包括平面型分子材料，所述平面型分子材料的分子結構包括至少三個平面環相連的基團，使所述平面型分子材料的分子結構具有平面性；

所述發光主體材料與所述載流子阻擋層的材料在所述發光層和所述載流子阻擋層的界面處能夠形成激基復合物；所述激基復合物的三線態能級小于所述載流子傳輸層材料和所述客體材料的三線態能級，所述激基復合物的單線態能級小于所述載流子傳輸層材料的單線態能級，且大于所述客體材料的單線態能級。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述載流子阻擋層包括至少一種平面型分子材料，所述平面型分子材料的分子結構包括至少三個平面環相連的基團；

所述平面型分子材料的分子結構中基團的平面環包括咔唑、芘、蒽和菲中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述發光主體材料為電子型傳輸材料；所述載流子阻擋層包括電子阻擋層；所述電子阻擋層設置于所述第一電極和所述發光層之間。

4.根據權利要求3所述的發光器件，其特征在于，所述電子阻擋層包括一種所述平面型分子材料；所述電子阻擋層的最高占據分子軌道能級與所述發光主體材料的最高占據分子軌道能級的能級差小于0.2eV。

5.根據權利要求3所述的發光器件，其特征在于，所述載流子傳輸層包括空穴傳輸層；所述空穴傳輸層設置于所述電子阻擋層和所述第一電極之間；

所述激基復合物的三線態能級小于所述空穴傳輸層材料和所述客體材料的三線態能級，所述激基復合物的單線態能級小于所述空穴傳輸層材料的單線態能級，且大于所述客體材料的單線態能級。

6.根據權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述發光主體材料為空穴型傳輸材料；所述載流子阻擋層包括空穴阻擋層；所述空穴阻擋層設置于所述第二電極和所述發光層之間。

7.根據權利要求6所述的發光器件，其特征在于，所述空穴阻擋層包括一種所述平面型分子材料；所述空穴阻擋層的最低未占分子軌道能級與所述發光主體材料的最低未占分子軌道能級的能級差小于0.2eV。

8.根據權利要求6所述的發光器件，其特征在于，所述載流子傳輸層包括電子傳輸層；所述電子傳輸層設置于所述空穴阻擋層和所述第二電極之間；

所述激基復合物的三線態能級小于所述電子傳輸層材料和所述客體材料的三線態能級，所述激基復合物的單線態能級小于所述電子傳輸層材料的單線態能級，且大于所述客體材料的單線態能級。

9.根據權利要求3或6所述的發光器件，其特征在于，所述載流子阻擋層包括兩種所述平面型分子材料，兩種所述平面型分子材料的最高占據分子軌道的能級差小于0.2eV，且最低未占分子軌道能級差小于0.2eV。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-9任一所述的發光器件。