[發(fā)明專利]一種扇出型封裝件及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010116109.7 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN111312676B | 公開（公告）日： | 2021-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孟繁均;陸陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 杰華特微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 杭州鈐韜知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 唐靈;趙杰香 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖區(qū)三墩鎮(zhèn)*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 扇出型 封裝 及其 制作方法 | ||
1.一種扇出型封裝件，其特征在于：包括
基底，所述基底上設(shè)有容置槽；
至少一塊芯片，位于所述基底的容置槽中；
塑封材料，包封所述至少一塊芯片并固定于所述基底的容置槽中；
其中，所述芯片包括第一表面和與所述第一表面相背的第二表面，所述第一表面設(shè)有多個輸入輸出端口，所述第二表面設(shè)有多個凸塊，所述多個凸塊的位置對應(yīng)所述多個輸入輸出端口中的至少部分，每一對對應(yīng)的凸塊和輸入輸出端口之間由貫穿所述芯片的TSV電連接；
第一再分布層，電連接在所述第一表面的至少部分輸入輸出端口上，并按所述第一再分布層的圖形將該部分輸入輸出端口分別引導(dǎo)至多個外部焊球上；
第二再分布層，電連接在所述第二表面的至少部分凸塊上，并按所述第二再分布層的圖形將該部分凸塊電互連或電引出，
其中，需要通過TSV導(dǎo)通至第二表面的輸入輸出端口為兩個或兩個以上需要對接的輸入輸出端口，所述兩個或兩個以上需要對接的輸入輸出端口被所述TSV電導(dǎo)通至第二表面后，在所述第二表面上用所述第二再分布層進(jìn)行電互連。
2.如權(quán)利要求1所述的扇出型封裝件，其特征在于：所述芯片的數(shù)量為至少兩塊，每塊所述芯片有至少一個凸塊通過所述第二再分布層與其它芯片中的至少一個凸塊電互連。
3.如權(quán)利要求1或2所述的扇出型封裝件，其特征在于：所述塑封材料至少溢出在所述容置槽的外部，并在對應(yīng)所述第一表面的至少部分輸入輸出端口位置具有開口，以露出所述部分輸入輸出端口。
4.如權(quán)利要求3所述的扇出型封裝件，其特征在于：還包括鈍化層，設(shè)置在所述塑封材料上，所述鈍化層包封所述第一再分布層，并露出與所述外部焊球連接的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1或2所述的扇出型封裝件，其特征在于：所述塑封材料充滿所述容置槽內(nèi)，將所述芯片和所述第二再分布層進(jìn)行包封。
6.一種如權(quán)利要求1-5任意一項所述的扇出型封裝件的制作方法，其特征在于，包括步驟：
提供一基底，并在所述基底上開設(shè)容置槽；
在所述容置槽的底部制作導(dǎo)電層，并刻蝕出所需的圖形，形成第二再分布層；將至少一塊芯片的第二表面粘接在所述第二再分布層上，使得所述第二表面的至少部分凸塊被所述第二再分布層電互連或電引出；
填充塑封材料并固化，使所述芯片被包封于所述塑封材料中；
使所述芯片第一表面上的部分輸入輸出端口露出，并在所述塑封材料上制作第一再分布層，使得所述第一表面的至少部分輸入輸出端口被所述第一再分布層的圖形電引導(dǎo)至多個外部焊球上；
在所述第一再分布層上制作多個所述外部焊球，
其中，需要通過TSV導(dǎo)通至第二表面的輸入輸出端口為兩個或兩個以上需要對接的輸入輸出端口，所述兩個或兩個以上需要對接的輸入輸出端口被所述TSV電導(dǎo)通至第二表面后，在所述第二表面上用所述第二再分布層進(jìn)行電互連。
7.如權(quán)利要求6所述的扇出型封裝件的制作方法，其特征在于：所述塑封材料充滿整個容置槽并溢出，使得所述第二再分布層被包封于所述塑封材料中。
8.如權(quán)利要求7所述的扇出型封裝件的制作方法，其特征在于：在填充所述塑封材料后，還包括露出所述第一表面輸入輸出端口的步驟，所述露出所述第一表面輸入輸出端口的步驟包括使用光刻法在對應(yīng)所述輸入輸出端口位置處開窗，或者將該塑封材料減薄，以露出所述第一表面的輸入輸出端口。
9.如權(quán)利要求6所述的扇出型封裝件的制作方法，其特征在于：還包括在所述第一再分布層上制作鈍化層，所述鈍化層包封所述第一再分布層，并露出與所述外部焊球連接的區(qū)域，所述外部焊球制作在該些區(qū)域上。
10.如權(quán)利要求6所述的扇出型封裝件的制作方法，其特征在于：當(dāng)所述芯片的數(shù)量為至少兩塊時，所述第二再分布層的圖形將所述至少兩塊芯片中對應(yīng)TSV的凸塊電互連或電引出。
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