[發明專利]用于控制氣體污染物分解氧化的裝置

有效

• 申請號: 202010115494.3
• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN111306560B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 田志偉
• 申請（專利權）人: 鑒鋒國際股份有限公司
• 主分類號: F23G7/06
• 分類號: F23G7/06;F23G5/02;F23G5/16;F23G5/44;F23G5/50;F23J15/04;F23L7/00;F23M5/08;F23Q9/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙;張燕華

本發明提供一種用于控制氣體污染物分解氧化的裝置及系統，其新穎的反應部設計可降低流體在處理過程中顆粒形成的現象，進而改善顆粒在反應部中累積的缺陷；此外還提供一種包括上述裝置的系統，其模塊化設計使得該系統具有容易保養維護的優點。

技術領域

本發明主張于2017年7月7日提出的美國臨時申請案62/529,795的優先權，其內容已全部并入本發明中以并參酌。

本發明涉及一種用于氣體污染物的裝置，尤其涉及一種在半導體或其他工業制造過程中用來控制氣體污染物分解氧化的裝置。

背景技術

半導體制造過程中所使用的各種的化學物質、以及可能產生的有毒副產品，都會對人體及環境造成重大傷害。該些化學物質舉例包括含有銻、砷、硼、鍺、氮、磷、硅、硒、鹵素、鹵素硅烷或全氟化合物(PFCs)的混合氣體，或由全氟化合物(PFCs)分解形成的副產物。

習知技術中，這些有害的混合氣體或副產物可經由一種用來控制氣體污染物分解氧化的裝置中的流體加以處理，轉化對環境危害較低的產物排放到環境中。

只是現今對于該用來控制氣體污染物分解氧化的裝置仍有未達到完美之處，譬如，在目前使用的裝置中，容易形成氧化硅等顆粒并沉積在該裝置的燃燒室的壁上，導致燃燒室堵塞并產生諸如燃燒不完全等問題，為了避免上述問題并延長裝置的使用年限，勢必得更頻繁地進行系統的清潔并在裝置的保養上付出更多成本，然此保養程序在人力及金錢的成本上都于廠商而言都是不利的因素。

為了改善上述及其他缺陷，已有許多研究團隊積極進行開發。譬如，美國專利公告號US 7,985,379B2為了降低反應過程中所產生的顆粒堆積，將其熱反應腔室設計為具有堆疊網狀陶瓷環的結構，由于空氣從該些網狀陶瓷環的孔洞中通過而有如形成邊界層般，阻止顆粒在該熱反應腔的內壁沉積。于該專利中并提出其他避免顆粒沉積的方法，譬如，對其進氣通道內壁進行電拋光使其機械粗糙度(Ra)低于30，使得廢氣中顆粒不易附著等。

上述方式僅能盡可能地減少顆粒附著，只是成效有限。從另一個角度來看，如何減少顆粒的產生或許也是一個可以著眼的方向，亟待進一步的研究。

發明內容

本發明的主要目的，在于解決習知減排系統中，其燃燒室容易因為堵塞而燃燒不完全的問題。

為了達到上述目的，本發明提供一種用于控制氣體污染物分解氧化的裝置，該裝置不僅可減少上述顆粒殘留裝置的問題，亦有容易清潔維護的優點。

具體而言，本發明一實施例提供一種用于控制氣體污染物分解氧化的裝置，該裝置具有一反應部、一洗滌部、一水力旋流部、以及連通該反應部、該洗滌部、以及該水力旋流部的水箱，其特征在于該反應部包括：一第一腔體，該第一腔體包括一環狀的第一內壁以及一與該第一內壁同心設置的第一外壁，該第一內壁圍出一第一腔室，且該第一外壁上設有至少一廢氣進氣通道，該廢氣進氣通道穿透該第一外壁及該第一內壁而與該第一腔室連通，該廢氣進氣通道包括一第一部件、一第二部件、以及一連接部件，其中，該連接部件的兩端分別與該第一部件及該第二部件連接；該第一部件往橫向方向延伸，未連接該連接部件的一端連通該第一腔室；該第二部件則往垂直方向延伸；一第一中介層，該第一中介層包括一第一內環壁、一與該第一內環壁同心設置的第一外環壁、至少一設置于該第一內環壁和該第一外環壁之間且和該第一腔室連通以供應一燃料的氣體通道以及一設于該第一內環壁的引導火焰入口，并由該第一內環壁圍出一連通該第一腔體的第一內部空間；一第二腔體，該第二腔體包括一環狀的第二內壁以及一與該第二內壁同心設置的第二外壁，該第二內壁圍出一與該第一中介層連通的第二腔室，該第二外壁包括至少一供一氣體向內地流動至第二腔室的進氣通道；一第二中介層，該第二中介層包括一第二內環壁以及一與該第二內環壁同心設置的第二外環壁，并由該第二內環壁圍出一連通該第二腔體的第二內部空間；以及一第三腔體，該第三腔體包括一環狀的第三內壁以及一與該第三內壁同心設置的第三外壁，該第三內壁圍出一與該第二中介層連通的第三腔室，至少一液體通道設置在該第三外壁上并穿透該第三內壁以導入一液體至該第三腔室中。