[發明專利]光掩模、光掩模的制造方法和顯示裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010114945.1
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111624849A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 李錫薰;柳敏相;薛宰勛
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/54
• 分類號: G03F1/54;G03F1/80;G03F1/26
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 孟偉青;褚瑤楊

1.一種光掩模，其為顯示裝置制造用的光掩模，為了通過曝光而在被轉印體上形成具有2個以上的不同殘膜值的抗蝕劑圖案，該光掩模具有包含透光部、遮光部和半透光部的轉印用圖案，

所述透光部通過使透明基板露出而成，

所述遮光部具有：

在所述透明基板上至少形成有遮光膜的完全遮光部，和

寬度γ的邊緣部，該邊緣部與所述完全遮光部的外緣接觸而形成，并且是在所述透明基板上形成半透光性的邊緣形成膜而成的；

所述半透光部被所述遮光部夾在中間，使所述透明基板以規定寬度α露出而成，

所述寬度α被設定成所述半透光部的曝光光透過率小于所述透光部的曝光光透過率，

對所述邊緣形成膜而言，對于曝光光的代表波長的光的透過率Tr為5％～60％，并且對于所述代表波長的光的相移量為90度以下。

2.如權利要求1所述的光掩模，其中，所述邊緣部的寬度γ滿足0.1μm≤γ＜1.0μm。

3.如權利要求1或2所述的光掩模，其中，所述轉印用圖案利用顯示裝置制造用的曝光裝置與所述半透光部對應地在被轉印體上形成圖案寬度為1μm～4μm的空白圖案。

4.如權利要求1或2所述的光掩模，其中，所述轉印用圖案用于通過顯示裝置制造用的曝光裝置利用300nm～500nm的范圍內的寬波長光源進行曝光。

5.如權利要求1或2所述的光掩模，其中，所述轉印用圖案為薄膜晶體管制造用圖案，所述半透光部與薄膜晶體管的溝道部對應。

6.一種制造權利要求1或2所述的光掩模的光掩模的制造方法，該制造方法是為了通過曝光而在被轉印體上形成具有2個以上的不同殘膜值的抗蝕劑圖案，具有包含透光部、遮光部和半透光部的轉印用圖案的光掩模的制造方法，

該光掩模的制造方法具有下述工序：

準備在透明基板上依次層積邊緣形成膜和遮光膜的光掩模坯的工序；

第1圖案化工序，使用形成于所述遮光膜上的抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，使用遮光膜用的蝕刻劑將所述遮光膜圖案化；

第2圖案化工序，使用所述邊緣形成膜用的蝕刻劑，將所述邊緣形成膜圖案化；

第3圖案化工序，使用所述抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，使用遮光膜用的蝕刻劑，對所述遮光膜進行側面蝕刻；和

剝離工序，將所述抗蝕劑圖案剝離。

7.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置的制造方法具有下述工序：

準備權利要求1或2所述的光掩模的工序；和

使用顯示裝置制造用的曝光裝置將所述光掩模曝光，由此將所述轉印用圖案轉印到被轉印體上的工序。

8.如權利要求7所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述顯示裝置包含薄膜晶體管。