[發(fā)明專利]適用于環(huán)路總線的短路隔離電路

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• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111162777A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 張明;馬學龍;焦煒杰;楊金權(quán);石方敏
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇潤石科技有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175;H03K19/003;H03K19/007;H02H7/26
• 代理公司: 無錫永樂唯勤專利代理事務所(普通合伙) 32369
• 代理人: 章陸一

1.一種適用于環(huán)路總線的短路隔離電路，其特征是：包括NMOS管NM1，所述NMOS管NM1的柵極端與電阻R1的一端以及反相器的輸出端連接，NMOS管NM1的第一端與電阻R2的一端連接，NMOS管NM1的第二端與電阻R3的一端連接，電阻R2的另一端、電阻R1的另一端與比較器的反相端連接，電阻R3的另一端與比較器的同相端以及負載電路的電源VCC端連接，且所述比較器的電源端、反相器的電源端均與負載電路的電源VCC端連接；所述電阻R1的另一端、電阻R2的另一端以及比較器的反相端均與環(huán)路總線的電源線VIN連接，比較器的接地端、反相器的接地端以及負載電路的接地端均與環(huán)路總線的接地線GND連接；

所述電源線VIN的電壓高于NMOS管NM1的導通電壓時，NMOS管NM1能處于導通狀態(tài)，電源線VIN通過NMOS管NM1能對電源VCC端進行充電，在負載電路的電源VCC端充電后，比較器、反相器能處于工作狀態(tài)；

在比較器、反相器處于工作狀態(tài)后，通過比較器對電源線VIN的電壓與電源VCC端的電壓比較，在電源線VIN的電壓大于電源VCC端的電壓時，NMOS管NM1保持導通狀態(tài)，在電源線VIN的電壓低于電源VCC端的電壓時，通過比較器、反相器能使得NMOS管NM1處于關(guān)斷狀態(tài)；

在負載電路短路時，通過反相器與NMOS管NM1的配合，能使得NMOS管NM1處于關(guān)斷狀態(tài)，以關(guān)斷電源線VIN通過NMOS管NM1形成到地的通路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于環(huán)路總線的短路隔離電路，其特征是：還包括與NMOS管NM1配合的源漏選定電路，所述源漏選定電路與NMOS管NM1的第一端、NMOS管NM1的第二端連接；

在電源線VIN的電壓高于電源VCC端時，通過源漏選定電路能使得NMOS管NM1的第一端選定為漏極端，通過源漏選定電路能使得NMOS管NM1的第二端選定為源極端；

在電源線VIN的電壓低于電源VCC端時，通過源漏選定電路能使得NMOS管NM1的第一端選定為源極端，通過源漏選定電路能使得NMOS管NM1的第二端選定為漏極端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于環(huán)路總線的短路隔離電路，其特征是：所述源漏選定電路包括二極管D1以及二極管D2，所述二極管D1的陽極端與二極管D2的陽極端以及NMOS管NM1的襯底連接，二極管D1的陰極端與NMOS管NM1的第一端連接，二極管D2的陰極端與NMOS管NM2的第二端連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于環(huán)路總線的短路隔離電路，其特征是：所述比較器包括電阻R4、電阻R5、NMOS管NM2以及NMOS管NM3，電阻R4的一端與電阻R3的另一端以及電源VCC端連接，電阻R4的另一端與NMOS管NM3的柵極端連接，電阻R5的一端與電源線VIN、電阻R1的另一端以及電阻R2的另一端連接，電阻R5的另一端與NMOS管NM2的柵極端連接；

NMOS管NM2的襯底、NMOS管NN3的襯底均與接地線GND連接；NMOS管NM2的源極端、NMOS管NM3的源極端均與NMOS管NM5的漏極端連接，NMOS管NM5的柵極端與NMOS管NM4的柵極端、NMOS管NM6的柵極端以及NMOS管NM4的漏極端連接，NMOS管NM4的源極端、NMOS管NM5的源極端以及NMOS管NM6的源極端均與接地線GND連接；

NMOS管NM2的漏極端與PMOS管PM3的漏極端、PMOS管PM4的柵極端連接，NMOS管NM3的漏極端與PMOS管PM3的柵極端、PMOS管PM4的漏極端以及PMOS管PM5的柵極端連接，所述PMOS管PM3的源極端、PMOS管PM4的源極端以及PMOS管PM5的源極端均與電源VCC端連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的適用于環(huán)路總線的短路隔離電路，其特征是：還包括PMOS管PM1以及PMOS管PM2，所述PMOS管PM1的源極端、PMOS管PM2的源極端均與電源VCC端連接，PMOS管PM1的柵極端與PMOS管PM1的漏極端、NMOS管NM2的漏極端、PMOS管PM3的漏極端以及PMOS管PM4的柵極端連接，PMOS管PM2的柵極端與PMOS管PM2的漏極端、PMOS管PM3的柵極端、PMOS管PM4的漏極端以及PMOS管PM5的源極端連接。