[發(fā)明專(zhuān)利]用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010114812.4
• 申請(qǐng)日: 2020-02-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112202333A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高龍;陳龍;王雪飛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥容杰電子技術(shù)有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M3/335
• 分類(lèi)號(hào): H02M3/335;H02M3/158
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器，包括交錯(cuò)并聯(lián)BUCK電路、一個(gè)橋式電路、一個(gè)LLC諧振網(wǎng)絡(luò)、兩個(gè)高頻隔離變壓器、兩個(gè)整流電路，所述兩個(gè)高頻隔離變壓器的原邊串聯(lián)后接入一個(gè) LLC 諧振網(wǎng)絡(luò)，LLC 諧振網(wǎng)絡(luò)的另一端接入一個(gè)橋式電路，橋式電路的另一端接入交錯(cuò)并聯(lián)BUCK( 降壓斬波電路 )，所述兩個(gè)高頻隔離變壓器的副邊連接兩個(gè)整流電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器，其特征在于，所述橋式電路為全橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊單繞組，所述整流電路為全橋整流電路，所述整流管為二極管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器，其特征在于，所述橋式電路為全橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊單繞組，所述整流電路為全橋整流電路，所述整流管為 MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器，其特征在于，所述橋式電路為全橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊雙繞組，所述整流電路為全波整流電路，所述整流管為二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器，其特征在于，所述橋式電路為全橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊雙繞組，所述整流電路為全波整流電路，所述整流管為 MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器，其特征在于，所述橋式電路為半橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊單繞組，所述整流電路為全橋整流電路，所述整流管為二極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器，其特征在于，所述橋式電路為半橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊單繞組，所述整流電路為全橋整流電路，所述整流管為 MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器，其特征在于，所述橋式電路為半橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊雙繞組，所述整流電路為全波整流電路，所述整流管為二極管。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸入用于超薄高功率密度模塊電源的輸入級(jí)降壓兩級(jí)變換器，其特征在于，所述橋式電路為半橋橋式電路，所述高頻變壓器的原邊單繞組且變壓器副邊雙繞組，所述整流電路為全波整流電路，所述整流管為 MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。