[發(fā)明專利]圖像傳感器、攝像頭組件及移動(dòng)終端在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010114781.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111294493A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊鑫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H04N5/225 | 分類(lèi)號(hào): | H04N5/225;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黃瓊 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 攝像頭 組件 移動(dòng) 終端 | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種圖像傳感器、攝像頭組件及移動(dòng)終端。圖像傳感器包括多個(gè)彩色像素、隔離層及溝槽。每個(gè)彩色像素均包括光電轉(zhuǎn)換元件。隔離層設(shè)置在任意兩個(gè)相鄰的光電轉(zhuǎn)換元件之間。溝槽的深度小于隔離層的深度。至少部分光電轉(zhuǎn)換元件內(nèi)形成有至少一道溝槽,進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換元件的光線在溝槽形成的傳播通道和/或在溝槽與隔離層形成的傳播通道內(nèi)傳播。本申請(qǐng)實(shí)施方式的圖像傳感器、攝像頭組件及移動(dòng)終端通過(guò)在光電轉(zhuǎn)換元件中設(shè)置溝槽來(lái)增加光線在光電轉(zhuǎn)換元件內(nèi)部的反射次數(shù)和傳播距離,從而提升光電轉(zhuǎn)換元件的量子效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及影像技術(shù)領(lǐng)域,更具體而言,涉及一種圖像傳感器、攝像頭組件及移動(dòng)終端。
背景技術(shù)
圖像傳感器中可以通過(guò)在光電轉(zhuǎn)換元件上設(shè)置紅、綠、藍(lán)三個(gè)顏色的濾光片來(lái)實(shí)現(xiàn)彩色圖像的輸出。然而,光電轉(zhuǎn)換元件對(duì)于波長(zhǎng)較長(zhǎng)的光線的吸收效率是比較低的,如此,光電轉(zhuǎn)換元件的量子效率降低,圖像傳感器對(duì)光線的利用率也會(huì)降低,不利于高質(zhì)量彩色圖像的獲取。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施方式提供一種圖像傳感器、攝像頭組件及移動(dòng)終端。
本申請(qǐng)實(shí)施方式的圖像傳感器包括多個(gè)彩色像素、隔離層及溝槽。每個(gè)所述彩色像素均包括光電轉(zhuǎn)換元件。所述隔離層設(shè)置在任意兩個(gè)相鄰的所述光電轉(zhuǎn)換元件之間。所述溝槽的深度小于所述隔離層的深度。至少部分所述光電轉(zhuǎn)換元件內(nèi)形成有至少一道所述溝槽,進(jìn)入所述光電轉(zhuǎn)換元件的光線在所述溝槽形成的傳播通道和/或在所述溝槽與所述隔離層形成的傳播通道內(nèi)傳播。
本申請(qǐng)實(shí)施方式的攝像頭組件包括鏡頭及圖像傳感器。所述圖像傳感器用于接收穿過(guò)所述鏡頭的光線以生成圖像。所述圖像傳感器包括多個(gè)彩色像素、隔離層及溝槽。每個(gè)所述彩色像素均包括光電轉(zhuǎn)換元件。所述隔離層設(shè)置在任意兩個(gè)相鄰的所述光電轉(zhuǎn)換元件之間。所述溝槽的深度小于所述隔離層的深度。至少部分所述光電轉(zhuǎn)換元件內(nèi)形成有至少一道所述溝槽,進(jìn)入所述光電轉(zhuǎn)換元件的光線在所述溝槽形成的傳播通道和/或在所述溝槽與所述隔離層形成的傳播通道內(nèi)傳播。
本申請(qǐng)實(shí)施方式的移動(dòng)終端包括殼體及攝像頭組件。攝像頭組件與殼體結(jié)合。所述攝像頭組件包括鏡頭及圖像傳感器。所述圖像傳感器用于接收穿過(guò)所述鏡頭的光線以生成圖像。所述圖像傳感器包括多個(gè)彩色像素、隔離層及溝槽。每個(gè)所述彩色像素均包括光電轉(zhuǎn)換元件。所述隔離層設(shè)置在任意兩個(gè)相鄰的所述光電轉(zhuǎn)換元件之間。所述溝槽的深度小于所述隔離層的深度。至少部分所述光電轉(zhuǎn)換元件內(nèi)形成有至少一道所述溝槽,進(jìn)入所述光電轉(zhuǎn)換元件的光線在所述溝槽形成的傳播通道和/或在所述溝槽與所述隔離層形成的傳播通道內(nèi)傳播。
本申請(qǐng)實(shí)施方式的圖像傳感器、攝像頭組件及移動(dòng)終端通過(guò)在光電轉(zhuǎn)換元件中設(shè)置溝槽來(lái)增加光線在光電轉(zhuǎn)換元件內(nèi)部的反射次數(shù)和傳播距離,從而提升光電轉(zhuǎn)換元件的量子效率。
本申請(qǐng)的實(shí)施方式的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過(guò)本申請(qǐng)的實(shí)施方式的實(shí)踐了解到。
附圖說(shuō)明
本申請(qǐng)的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施方式的描述中將變得明顯和容易理解,其中:
圖1是本申請(qǐng)實(shí)施方式的圖像傳感器的示意圖;
圖2是本申請(qǐng)實(shí)施方式的圖像傳感器中的像素電路的示意圖;
圖3A是相關(guān)技術(shù)中入射到像素內(nèi)的光線的傳播方向示意圖;
圖3B是入射到本申請(qǐng)實(shí)施方式的圖像傳感器內(nèi)的像素的光線的傳播方向示意圖;
圖4至圖7是本申請(qǐng)某些實(shí)施方式的像素陣列的排布示意圖;
圖8是本申請(qǐng)某些實(shí)施方式的像素陣列的示意圖;
圖9是圖8所示像素陣列沿IX-IX線的截面示意圖;
圖10是本申請(qǐng)某些實(shí)施方式的像素陣列的示意圖;
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