[發明專利]一種無自吸收納米晶作為閃爍體的應用及其制備方法在審
| 申請號： | 202010114200.5 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN111348675A | 公開（公告）日： | 2020-06-30 |
| 發明（設計）人： | 張建兵;連霖源;藍新正;張道禮;唐江 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | C01G3/00 | 分類號： | C01G3/00;B82Y40/00;B82Y20/00;C03C17/22;G01T1/202 |
| 代理公司： | 深圳市溫斯頓專利代理事務所(普通合伙) 44686 | 代理人： | 徐員蘭 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 吸收 納米 作為 閃爍 應用 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種無自吸收納米晶作為閃爍體的應用，其特征在于，所述納米晶的化學通式為Cs3Cu2X5，其中X選自Cl、Br、I。
2.一種如權利要求1所述的閃爍體的制備方法，其特征在于：包括將Cs3Cu2X5納米晶的有機溶液涂到玻璃片上，在空氣中將有機溶劑自然揮發干形成Cs3Cu2X5納米晶薄膜，從而制得所述閃爍體。
3.如權利要求2所述制備方法，其特征在于，該方法具體包括以下步驟：
(1)將Cs3Cu2X5納米晶分散到正己烷溶劑中，分散濃度為40-50mg/mL；
(2)將上述Cs3Cu2X5納米晶溶液滴涂到玻璃片上，使正己烷溶劑自然揮發干，再將納米晶溶液滴涂到玻璃片上，再自然揮發干，上述步驟重復8-12次，形成無自吸收的Cs3Cu2X5納米晶薄膜，從而制得所述閃爍體。
4.如權利要求2所述制備方法，其特征在于，所述有機溶劑還可為正辛烷、正壬烷、正庚烷溶劑中的任意一種。
5.利用權利要求2－4任意一項所述制備方法制備得到的Cs3Cu2X5納米晶閃爍體。
6.如權利要求5所述的閃爍體的應用，其特征在于，所述閃爍體應用于X射線成像。
7.如權利要求6所述的閃爍體的應用，其特征在于，所述X射線成像的分辨率高達0.32mm。
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