[發明專利]一種半導體結構制造方法在審
| 申請號： | 202010113773.6 | 申請日： | 2020-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN113299598A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 李淵 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成麗杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 制造 方法 | ||
1.一種半導體結構制造方法，其特征在于，包括：
提供絕緣基底；
采用物理氣相沉積工藝在所述絕緣基底上沉積隔離層，所述隔離層包括鈷原子、以及位于鈷原子晶界位置的阻擋原子；
在所述隔離層上沉積含銅金屬層。
2.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述絕緣基底上設置有凹槽，所述在所述絕緣基底上沉積隔離層，包括：
在所述絕緣基底上、所述凹槽的底部以及側壁上沉積所述隔離層。
3.根據權利要求1或2所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述隔離層的材料為鈷鎢合金，所述阻擋原子為鎢原子。
4.根據權利要求3所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述鈷鎢合金中鎢的含量為0.1at％～3.5at％。
5.根據權利要求4所述的半導體結構制造方法，其特征在于，沉積所述隔離層的制備溫度為150℃～350℃。
6.根據權利要求5所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述在所述隔離層上沉積含銅金屬層，包括：
將所述隔離層冷卻至10℃～30℃，在10℃～30℃環境下沉積含銅金屬層。
7.根據權利要求4所述的半導體結構制造方法，其特征在于，沉積所述隔離層的制備環境中氬氣的氣流量為10sccm～35sccm。
8.根據權利要求2所述的半導體結構制造方法，其特征在于，在沉積隔離層之前，還包括：
對所述凹槽底部以及側壁進行預清潔處理。
9.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，沉積所述隔離層的制備環境的氣壓為0.6mtorr～2mtorr。
10.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述隔離層的厚度為5nm～20nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
