[發明專利]一種多步協同表面活化低溫混合鍵合方法有效
| 申請號: | 202010113428.2 | 申請日: | 2020-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN111243972B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發明(設計)人: | 王晨曦;康秋實;周詩承;魯添;何洪文;李珩;戚曉蕓;胡天麒 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學;華為技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/603 | 分類號: | H01L21/603 |
| 代理公司: | 哈爾濱龍科專利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 協同 表面 活化 低溫 混合 方法 | ||
1.一種多步協同表面活化低溫混合鍵合方法,其特征在于:所述方法的具體步驟如下:
步驟一:將含有Cu電極和SiO2絕緣層圖案的混合鍵合樣品室溫下浸泡于甲酸溶液中,而后在去離子水中超聲清洗;
步驟二:采用等離子體對清洗后的Cu/SiO2混合鍵合樣品進行活化;
步驟三:將經等離子體活化后的Cu/SiO2混合鍵合樣品對準貼合后進行熱壓鍵合;所述熱壓鍵合過程中,熱壓鍵合設備采用僅上加熱板加熱的方法,升溫速率為4℃/min,所述上加熱板的加熱溫度為200~240℃,保溫時間20~40min,下加熱板通過與上加熱板接觸被動升溫,使下加熱板溫度穩定在130~160℃;
步驟四:對熱壓鍵合后的Cu/SiO2混合鍵合樣品進行保溫,最終得到混合鍵合樣品對。
2.根據權利要求1所述的一種多步協同表面活化低溫混合鍵合方法,其特征在于:步驟一中,所述甲酸溶液體積濃度為50%,浸泡時間為5~30min。
3.根據權利要求1所述的一種多步協同表面活化低溫混合鍵合方法,其特征在于:步驟一中,所述超聲清洗使用去離子水清洗30~60s,并利用氮氣吹干所述樣品表面。
4.根據權利要求1所述的一種多步協同表面活化低溫混合鍵合方法,其特征在于:步驟一中,超聲清洗頻率為40KHz,超聲清洗功率為80~120W,清洗溫度為25±3℃。
5.根據權利要求1所述的一種多步協同表面活化低溫混合鍵合方法,其特征在于:步驟二中,所述等離子體種類為Ar,活化功率為100~300W,活化時間為30~150s。
6.根據權利要求1所述的一種多步協同表面活化低溫混合鍵合方法,其特征在于:步驟三中,所述熱壓鍵合過程中,對每對樣品施加鍵合壓力為1~4Mpa。
7.根據權利要求1所述的一種多步協同表面活化低溫混合鍵合方法,其特征在于:步驟四中,所述保溫溫度為200℃,時間為2~8h。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





