[發明專利]一種納米球光場的前向零散射調控方法有效
| 申請號: | 202010113105.3 | 申請日: | 2020-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN111404012B | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發明(設計)人: | 張允晶;李鵬;竇玉江;何興理;李靈峰 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | H01S3/094 | 分類號: | H01S3/094;H01S3/16 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 馬明渡 |
| 地址: | 215123 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 球光場 散射 調控 方法 | ||
1.一種納米球光場的前向零散射調控方法,假設原光場由入射光(1)和原光學納米球(2)形成,其特征在于:
在所述原光場的原光學納米球(2)體系中加入具有光學增益特性的增益納米球(3)作為光學增益介質,并利用光纖泵浦方式激勵該光學增益介質實現增益,且通過調節光纖泵浦的激勵強度來調整光學增益介質增益強度,從而實現光場前向零散射;
所述增益納米球(3)以及光纖泵浦的激光強度如下:
將原光學納米球(2)與待加入的增益納米球(3)以偶極子等效方法進行分析,如果光場前向散射為零,則所加入的增益納米球(3)的極化率如公式(I):
公式(I)中:
α2表示增益納米球(3)的極化率,系未知量,量綱為庫倫·米2/伏特;
α1表示原光學納米球(2)的極化率,系已知量,量綱為庫倫·米2/伏特;
η表示入射光(1)方向的方位角,系已知量,量綱為弧度;
γ表示入射光(1)的俯仰角,系已知量,量綱為弧度;
k表示入射光(1)的波數,k=2π/λ,系已知量,量綱為米-1,其中,λ為入射光(1)的波長,系已知量,量綱為米,而波長λ與角頻率ω之間的關系為ω=2πc/λ,c為真空中光速;
d表示原光學納米球(2)與增益納米球(3)之間的球心距離,系已知量,量綱為米;
ε表示環境的絕對介電常數,系已知量,量綱為法/米;
e表示歐拉常數,e=2.71828;
i表示虛數單位;
已知納米球的介電常數與極化率之間的關系如公式(Ⅱ):
公式(Ⅱ)中:
α表示納米球的極化率,系已知量,量綱為庫倫·米2/伏特;
εr表示納米球的相對介電常數,系未知量,無量綱;
R表示納米球的半徑,系已知量,量綱為米;
ε表示環境的絕對介電常數,與公式(I)的ε含義相同;
k表示入射光(1)的波數,與公式(I)的k含義相同;
將公式(I)得出的增益納米球(3)的極化率代入公式(Ⅱ)得出所述增益納米球(3)的介電常數εG(ω);
根據增益納米球(3)的介電常數εG(ω)來構造具有介電常數εG(ω)的增益納米球(3),具體實現方式如下:
由于增益強度能夠用等效介電常數來表征,并用如下公式(Ⅲ)來表示:
公式(Ⅲ)中:
εG表示光學增益介質在光纖泵浦激勵后的相對介電常數,系已知量,無量綱;
εL表示光學增益介質在光纖泵浦激勵前的相對介電常數,系已知量,無量綱;
K表示光纖(4)中傳輸的激光強度系數,系未知量,無量綱;
γ0表示光學增益介質的增益帶寬,系已知量,量綱為弧度/秒;
ω表示入射光(1)的頻率,系已知量,量綱為弧度/秒;
ω0表示光學增益介質的諧振頻率,系已知量,量綱為弧度/秒;
i表示虛數單位,與公式(I)中的i含義相同;
由公式(Ⅲ)能夠得到光纖(4)中傳輸的激光強度系數K,從而獲得出在光場前向零散射條件下光纖泵浦中激勵源的激光強度。
2.根據權利要求1所述的調控方法,其特征在于:所述光學增益介質采用三價鉺離子摻雜的硅材料,三價鉺離子的摻雜濃度為3×1020-6×1020離子個數/每立方厘米。
3.根據權利要求2所述的調控方法,其特征在于:所述三價鉺離子的摻雜濃度為4×1020-5×1020離子個數/每立方厘米。
4.根據權利要求1所述的調控方法,其特征在于:所述光纖泵浦是以激光為激勵源,以光纖(4)為載體,并將光纖(4)環繞在光學增益介質外圍,其中,光纖(4)的一端作為激光射入端口(5),另一端為作為激光射出端口(6),當激光通過光纖(4)后以光耦合形式激勵光學增益介質產生前向增益。
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