[發明專利]薄膜形成用生長抑制劑，利用該生長抑制劑的薄膜形成方法以及由此制造的半導體基板

在審

• 申請號: 202010111806.3
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN112442678A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 延昌峰;鄭在善;邊惠蘭;宋泰浩;金素貞;李錫宗
• 申請（專利權）人: 秀博瑞殷株式公社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/34;C23C16/52
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

1.一種薄膜形成用生長抑制劑，其特征在于，

是由化學式1表示的化合物，

化學式1：

A_nB_mX_o

其中，所述A為碳或硅，所述B為氫或碳原子數為1至3的烷基，所述X為鹵素，所述n為1至15的整數，所述o為1以上的整數，m為0至2n+1。

2.根據權利要求1所述的薄膜形成用生長抑制劑，其特征在于，

所述化學式1中，X為氯(Cl)。

3.根據權利要求1所述的薄膜形成用生長抑制劑，其特征在于，

所述化學式1中，所述o是1至5的整數。

4.根據權利要求1所述的薄膜形成用生長抑制劑，其特征在于，

所述化學式1中，化合物是支鏈化合物、環狀化合物或芳香族化合物。

5.根據權利要求1所述的薄膜形成用生長抑制劑，其特征在于，

由所述化學式1表示的化合物用于ALD(原子層沉積)工藝。

6.根據權利要求1所述的薄膜形成用生長抑制劑，其特征在于

由所述化學式1表示的化合物在常溫22℃下為液體，密度為0.8至1.5g/cm³，在20℃下的蒸氣壓為1至300mmHg，在25℃下水中的溶解度為200mg/L以下。

7.一種薄膜形成方法，其特征在于，

包括將由化學式1表示的薄膜形成用生長抑制劑注入到ALD腔室內并使其吸附到被裝載(loading)的基板表面的步驟，

化學式1：

A_nB_mX_o

其中，所述A為碳或硅，所述B為氫或碳原子數為1至3的烷基，所述X為鹵素，所述n為1至15的整數，所述o為1以上的整數，m為0至2n+1。

8.根據權利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟(ⅰ)，將所述薄膜形成用生長抑制劑汽化并使其吸附到裝載于ALD腔室內的基板表面；

步驟(ⅱ)，利用吹掃氣體第一次吹掃所述ALD腔室內部；

步驟(ⅲ)，將薄膜前體化合物汽化并使其吸附到裝載于ALD腔室內的基板表面；

步驟(ⅳ)，利用吹掃氣體第二次吹掃所述ALD腔室內部；

步驟(ⅴ)，向所述ALD腔室內部供給反應氣體；以及

步驟(ⅵ)，利用吹掃氣體第三次吹掃所述ALD腔室內部。

9.根據權利要求8所述的薄膜形成方法，其特征在于，

所述薄膜形成用生長抑制劑以及薄膜前體化合物通過VFC方式、DLI方式或者LDS方式被移送至ALD腔室內。

10.根據權利要求8所述的薄膜形成方法，其特征在于，

所述薄膜形成用生長抑制劑和所述前體化合物向ALD腔室內的投入量(mg/cycle)之比為1:1.5至1:20。

11.根據權利要求8所述的薄膜形成方法，其特征在于，

通過數學式1計算出的每周期薄膜生長速率的減小率為-5％以下，

數學式1：

每周期薄膜生長速率的減小率(％)＝[(使用薄膜形成用生長抑制劑時的每周期薄膜生長速率－未使用薄膜形成用生長抑制劑時的每周期薄膜生長速率)/未使用薄膜形成用生長抑制劑時的每周期薄膜生長速率]×100。

12.根據權利要求8所述的薄膜形成方法，其特征在于，

基于SIMS測量的經200周期后所形成的薄膜內殘留鹵素強度(c/s)為10,000以下。

13.根據權利要求8所述的薄膜形成方法，其特征在于，

所述反應氣體為還原劑、氮化劑或氧化劑。