[發明專利]一種量子點光轉換層及其制備方法在審
| 申請號: | 202010111348.3 | 申請日: | 2020-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN113296310A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 梁城江;邵根榮;李陽 | 申請(專利權)人: | 廣東普加福光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/13357 | 分類號: | G02F1/13357;G03F7/004 |
| 代理公司: | 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425 | 代理人: | 盧娟 |
| 地址: | 529000 廣東省江*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 量子 轉換 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點光轉換層,其特征在于:由量子點液晶光刻膠固化形成;所述量子點液晶光刻膠包括液晶材料以及量子點光刻膠;所述量子點光刻膠包括量子點材料以及光刻膠。
2.根據權利要求1所述的量子點光轉換層,其特征在于:所述量子點光刻膠中所述量子點所占質量分數為1~30%;所述量子點液晶光刻膠中所述液晶材料所占質量分數為1~30%。
3.根據權利要求1所述的量子點光轉換層,其特征在于:所述量子點為紅色量子點或綠色量子點,其中紅色量子點材料的發射波長范圍為600~650nm,半峰寬40nm,綠色量子點材料的發射波長范圍為500~550nm,半峰寬40nm。
4.根據權利要求3所述的量子點光轉換層,其特征在于:所述量子點選自但不限于納米類熒光材料、鈣鈦礦量子點材料以及II-VI或III-V族半導體類量子點材料的一種或幾種。
5.根據權利要求4所述的量子點光轉換層,其特征在于:所述液晶材料選自但不限于4-氰基-4'-丙基聯苯、4-氰基-4'-己基聯苯、4-氰基-4-丙氧基聯苯、4-氰基-4-己氧基聯苯、4-(反式-4-丙基環己基)苯腈、3,4,5-三氟-4'-(反式-4-戊基環己基)-聯苯、4-丙基聯苯乙炔、4-(反式-4-乙基環己基)苯乙炔、4-(4-甲氧基苯基)環己酮、4-丁基聯苯中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的量子點光轉換層,其特征在于:所述光刻膠包括主體樹脂以及溶劑;所述主體樹脂選自但不限于環氧類樹脂、丙烯酸類樹脂、酚醛樹脂、聚乙烯醇肉桂酸酯中的至少一種;所述溶劑選自但不限于乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、丙二醇丁醚、丙二醇乙醚、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、二甲苯、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、甲基異丁基酮中的至少一種。
7.一種量子點光轉換層的制備方法,其特征在于,包括以下具體操作步驟:
S1、將量子點材料分散于光刻膠中,分散均勻得到量子點光刻膠;
S2、將液晶材料加入至步驟S1所得的量子點光刻膠中,充分溶解后得到量子點液晶光刻膠;
S3、將步驟S2所得的量子點液晶光刻膠涂抹于基材上,得到一層均勻分布的量子點液晶光刻膠薄膜;
S4、依次經過前烘處理、局部曝光、顯影以及后烘處理,所述量子點液晶光刻膠薄膜固化成型,形成量子點光轉換層。
8.根據權利要求7所述的量子點光轉換層的制備方法,其特征在于:步驟S4中所述局部曝光為使用光學掩膜板對所述量子點液晶光刻膠薄膜進行局部遮蔽后,對所述量子點液晶光刻膠薄膜進行曝光,使未遮蔽的量子點液晶光刻薄膜固化成型,其中所述曝光光源為365nm紫外光源,曝光能量為50~1500mJ/cm2。
9.根據權利要求7所述的量子點光轉換層的制備方法,其特征在于:所述顯影為使用顯影液洗去未固化的光刻膠;所述顯影液為堿性試劑,其選自但不限于氫氧化鉀的水溶液、四甲基氫氧化銨的水溶液;所述顯影時間為10~200s。
10.根據權利要求7所述的量子點光轉換層的制備方法,其特征在于:步驟S4中前烘處理為在80~110℃的溫度條件下烘干30~300s;所述后烘處理為在130~200℃的溫度條件下烘干10~100min;所形成量子點光轉換層的膜層厚度為1~20μm,其線寬為1~200μm。
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