[發明專利]一種砷化鎵器件金屬保護環

在審

• 申請號: 202010110737.4
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111162058A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 沈留明;程岸;王彥碩;汪耀祖
• 申請（專利權）人: 杭州立昂東芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 浙江英普律師事務所 33238
• 代理人: 郭錦春

1.一種砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述金屬保護環圍繞管芯設置并包括至少三層金屬層，所述金屬保護環第一層金屬層設置在襯底上，所述金屬保護環第二層以上金屬層包括連接在一起的連續部和斷開部，所述連續部圍繞管芯，所述連續部的上方和上一層金屬層連接，所述斷開部分段設置，所述斷開部下方和下一層金屬層連接，所述第二層以上相鄰兩層金屬層的斷開部互相錯開設置，所述金屬保護環兩側及相鄰的兩個斷開部之間為介電材料。

2.根據權利要求1所述的砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述連續部的寬度大于斷開部的寬度。

3.根據權利要求2所述的砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述第一層金屬層由在襯底上蒸鍍金屬形成。

4.根據權利要求3所述的砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述第一層金屬層由在襯底上蒸鍍Ti、Pd、Au形成，所述Ti厚度為200-500埃，所述Pd厚度為500-800埃，所述Au厚度為5000-10000埃，所述第一層金屬層厚度為0.57-1.13um。

5.根據權利要求4所述的砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述第二層金屬層厚度為2～6um，所述第三層以上金屬層厚度為3～6um。

6.根據權利要求5所述的砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述第二層以上金屬層采用在種子層金屬TiW/Au上進行電鍍形成。

7.根據權利要求1-6任一項所述的砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述介電材料為BCB有機介電材料。

8.根據權利要求7所述的砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述BCB有機介電材料具有和金屬層相同的層數。

9.根據權利要求8所述的砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述第一層BCB有機介電材料釆用旋轉涂布工序，經過240～300℃高溫固化，所述第一層BCB有機介電材料層厚度為2.4～3.0um；所述第二層以上BCB有機介電材料層厚度為2.6～4.0um。

10.根據權利要求9所述的砷化鎵器件金屬保護環，其特征在于，所述第一層金屬層采用化學剝離技術來形成電極。