[發(fā)明專利]透射式白光裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010110527.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111189003A | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 申小飛;曹永革;李英魁;麻朝陽;文子誠;王恩哥;王充 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 松山湖材料實(shí)驗(yàn)室 |
| 主分類號(hào): | F21K9/69 | 分類號(hào): | F21K9/69;F21V5/10;F21V29/503;F21V29/71;F21V19/00;F21Y115/30 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 唐菲 |
| 地址: | 523000 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透射 白光 裝置 | ||
1.一種透射式白光裝置,其特征在于,包括:
內(nèi)部具有安裝空間的封裝結(jié)構(gòu),所述封裝結(jié)構(gòu)的一端具有開口,所述封裝結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述開口的一端具有導(dǎo)電通孔;
光學(xué)透鏡,所述光學(xué)透鏡安裝于所述封裝結(jié)構(gòu)并封閉所述開口;
熱沉臺(tái),所述熱沉臺(tái)安裝于所述安裝空間內(nèi);
導(dǎo)電柱,所述導(dǎo)電柱安裝于所述所述安裝空間內(nèi),且所述導(dǎo)電柱與熱沉臺(tái)間隔設(shè)置,所述導(dǎo)電柱與所述導(dǎo)電通孔電性連接;
激光二極管芯片,所述激光二極管芯片安裝于所述熱沉臺(tái)并與所述導(dǎo)電柱電性連接;以及
熒光透鏡,用于將所述激光二極管芯片產(chǎn)生的激光轉(zhuǎn)換成白光,所述熒光透鏡連接于所述熱沉臺(tái)遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電通孔的一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透射式白光裝置,其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)包括基板和圍壩,所述基板具有所述導(dǎo)電通孔,所述圍壩遠(yuǎn)離所述開口的一端與所述基板連接,所述熱沉臺(tái)和所述導(dǎo)電柱均安裝于所述基板,所述基板為導(dǎo)熱基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透射式白光裝置,其特征在于,所述導(dǎo)熱基板選自氮化鋁基板、氮化硅基板和氧化鋁基板中的任一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透射式白光裝置,其特征在于,所述圍壩為導(dǎo)熱圍壩。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的透射式白光裝置,其特征在于,所述透射式白光裝置還包括電極焊盤,所述電極焊盤連接于所述基板遠(yuǎn)離所述安裝空間的一側(cè),所述電極焊盤與所述導(dǎo)電通孔電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的透射式白光裝置,其特征在于,所述熒光透鏡的表面包括平面和凸球面,所述凸球面的周向邊緣與所述平面的邊緣銜接,所述熒光透鏡的平面與所述熱沉臺(tái)遠(yuǎn)離所述基板的一端連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的透射式白光裝置,其特征在于,所述導(dǎo)電柱設(shè)置有多個(gè),所述激光二極管芯片設(shè)置有多個(gè),所述導(dǎo)電柱與所述激光二極管芯片一一對(duì)應(yīng),且多個(gè)所述導(dǎo)電柱與多個(gè)所述激光二極管芯片沿所述熱沉臺(tái)的周向交替分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的透射式白光裝置,其特征在于,所述熒光透鏡與所述導(dǎo)電柱接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的透射式白光裝置,其特征在于,所述熒光透鏡為YAG熒光透鏡,所述激光二極管芯片為藍(lán)光激光二極管芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的透射式白光裝置,其特征在于,所述熒光透鏡的熒光材料的分子式為8Y3Al5O12:xCe3+,其中,x≤0.05。
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