[發(fā)明專利]一種基于銅鎳二級海參狀微納米層的固態(tài)鍵合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010110434.2 | 申請日: | 2020-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN111312603B | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 肖金;翟倩;屈福康;陳偉全;嚴繼超;鄭永濤;程偉 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東工業(yè)大學(xué)華立學(xué)院 |
| 主分類號: | H01L21/603 | 分類號: | H01L21/603;H01L21/60;H01L23/482;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 顏希文 |
| 地址: | 511325 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 二級 海參 納米 固態(tài) 方法 | ||
1.一種基于銅鎳二級海參狀微納米層的固態(tài)鍵合方法,其特征在于,所述固態(tài)鍵合方法包括以下步驟:將兩塊基板的具有海參狀銅鎳微納米層的表面相互接觸以形成接觸區(qū)域,再在加熱條件下對所述接觸區(qū)域施加壓力以進行鍵合;其中,海參狀銅鎳微納米層包括銅針層以及鍍覆于所述銅針層表面的鎳針層,所述銅針層為錐形銅微米針形成的陣列層,所述鎳針層包括錐形鎳納米針形成的陣列層以及在所述錐形鎳納米針上形成的突起。
2.根據(jù)要求1所述的固態(tài)鍵合方法,其特征在于,所述鍵合溫度為210-250℃,所述鍵合壓力為170-210MPa,所述鍵合時間為20min以上。
3.根據(jù)要求2所述的固態(tài)鍵合方法,其特征在于,所述鍵合溫度為240℃,所述鍵合壓力為180MPa,所述鍵合時間為20-25min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的固態(tài)鍵合方法,其特征在于,所述鍵合在空氣中進行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的固態(tài)鍵合方法,在所述施加壓力之前,先對所述接觸區(qū)域進行預(yù)熱處理,所述預(yù)熱溫度與所述鍵合溫度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的固態(tài)鍵合方法,所述錐形銅微米針的高度為1-3μm,針根直徑為1-2μm;所述錐形鎳納米針的高度為500nm,針根直徑為400nm;所述突起的高度為50-80nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的固態(tài)鍵合方法,其特征在于,在所述鍵合后,還對所述接觸區(qū)域進行熱處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固態(tài)鍵合方法,其特征在于,所述熱處理的溫度為190-200℃,所述熱處理的時間為10-100h。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的固態(tài)鍵合方法,其特征在于,所述海參狀銅鎳微納米層采用電沉積法制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)鍵合方法,其特征在于,所述海參狀銅鎳微納米層制備時采用結(jié)晶改性劑。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





