[發明專利]一種雙管芯電容咪頭在審
| 申請號： | 202010109335.2 | 申請日： | 2020-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN111246342A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 侯帆 | 申請（專利權）人： | 深圳市咔萊科技有限公司 |
| 主分類號： | H04R3/00 | 分類號： | H04R3/00;H04R1/08 |
| 代理公司： | 深圳市博太聯眾專利代理事務所(特殊普通合伙) 44354 | 代理人： | 任轉英 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙管 電容 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙管芯電容咪頭，包括場效應管JFET1和場效應管JFET2，其特征在于，所述場效應管JFET1和場效應管JFET2的G極均接到咪頭膜片相對應的固定電極上，場效應管JFET1和場效應管JFET2的S極與咪頭金屬外殼均接地，場效應管JFET1和場效應管JFET2的D極分別作為兩個信號輸出極。
2.根據權利要求1所述的一種雙管芯電容咪頭，其特征在于，所述場效應管JFET1的D極連接到TRRS接頭的1與2極，場效應管JFET2的D極連接到TRRS接頭的4極，GND連接到TRRS接頭的3極。
3.根據權利要求2所述的一種雙管芯電容咪頭，其特征在于，所述TRRS接頭為3.5mmTRRS接頭。
4.根據權利要求3所述的一種雙管芯電容咪頭，其特征在于，所述場效應管JFET2的D極連接到TRRS接頭的1與2極，場效應管JFET1的D極連接到TRRS接頭的4極，GND連接到TRRS接頭的3極。
5.根據權利要求1所述的一種雙管芯電容咪頭，其特征在于，所述場效應管JFET1的D極連接電阻R1和電容C1，場效應管JFET2的D極連接電阻R2和電容C2。
6.根據權利要求5所述的一種雙管芯電容咪頭，其特征在于，所述電容C為信號耦合電容。
7.根據權利要求5所述的一種雙管芯電容咪頭，其特征在于，所述電阻R為偏置電阻。
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