[發明專利]一種利用低電壓晶體管的微型micro LED顯示裝置

在審

• 申請號: 202010109304.7
• 申請日: 2020-02-22
• 公開（公告）號: CN111128072A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 陳廷仰;廖志洋
• 申請（專利權）人: 禹創半導體（廣州）有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 東莞領航匯專利代理事務所(普通合伙) 44645
• 代理人: 高輝

本發明公開了一種利用低電壓晶體管的微型micro LED顯示裝置，包括包含多數像素的顯示領域；及通過與上述多數像素連接的第1電源線及第2電源線施加電源的電源供給部；上述多數像素分別包含第1電極及第2電極，上述第1電極連接到上述第1電源線的發光元件；漏型端子與上述發光元件的上述第2電極連接，根據施加到柵端子的偏差電壓維持開啟狀態，控制施加到源端子的電壓的電壓控制晶體管；漏型端子連接到上述電壓控制晶體管源端子的驅動晶體管；及漏型端子與上述第2電源線連接，源端子與上述電壓控制晶體管的源端子連接，測試上述像素缺陷的檢查晶體管。本發明的像素電路可由低電壓晶體管實現，因此，可以實現適合高分辨率的最小尺寸的顯示裝置。

技術領域

本發明涉及一種顯示裝置，具體是一種利用低電壓晶體管的微型micro LED顯示裝置。

背景技術

最近, 為了VR(Virtual Reality),AR(Augmented Reality),MR(Mixed Reality)技術, 需要具備優秀顯示特性的裝置, 特別是對micro LED on Silicon或 AMOLED onSilicon的開發呈上升趨勢, 特別是為了實現高分辨率, 對像素尺寸最小化的要求正在增加。因此,在小像素(pixel)尺寸的領域中實現驅動的電路成為必需, 需要開發可小型化的新技術。

一直以來,對于多數的亞像素(FHD case: 1920*1080*RGB = 6,220,800),在設備及環境中無法進行測試(test)，需要增加測試回路，因此影響了像素尺寸最小化。

特別是,在原有電路中使用的高電壓晶體管(High Voltage Transistor)即使采用微型工藝, 也需要一定的滿足耐壓(Breakdown Voltage)的空間，對實現高分辨率有限制。

發明內容

本發明的目的在于提供一種利用低電壓晶體管的微型micro LED顯示裝置，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種利用低電壓晶體管的微型micro LED顯示裝置，包括，含多數像素的顯示領域；及與上述多數像素連接的第一電源線及通過第二電源線施加電源的電源供給部，上述多數像素分別包含第一電極及第二電極，上述第一電極連接到上述第一電源線的發光元件；漏型端子與上述發光元件的上述第二電極，根據施加到柵端子的偏電壓維持開啟狀態，控制施加到源型端子的電壓的電壓控制晶體管；漏型端子與上述電壓控制晶體管的源端子連接的驅動晶體管；及漏型端子與上述第二電源線連接，源型端子與上述電壓控制晶體管的源型端子連接，檢查上述像素缺陷的檢查晶體管。

另外，其特征為通過上述第一電源線施加的電源電壓比通過上述第二電源線施加的電源電壓高。

另外，上述驅動晶體管可能是在三極管領域內運行。

另外,上述電壓控制晶體管,驅動晶體管及檢查晶體管可以以低電壓驅動晶體管為特征。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明的像素電路可由低電壓晶體管(Low Voltage Transistor) 實現，因此，可以實現適合高分辨率的最小尺寸的顯示裝置。另外，本發明的像素電路利用低電壓晶體管(Low Voltage Transistor)，在同樣的尺寸下，可以確保最佳的錯配（Mismatch）特性。

附圖說明

圖1為根據本發明的一個實施例, 概括表示顯示裝置制造工序的圖紙。

圖2為表示含在原有顯示裝置的像素電路的圖紙。

圖3為根據本發明的一個實施例, 概括表示顯示裝置的圖紙。

圖4為圖3中表示的，顯示裝置像素的一個例子。