[發(fā)明專利]帶有聚合物納米涂層的基材及形成聚合物納米涂層的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010108220.1
• 申請(qǐng)日: 2020-02-21
• 公開（公告）號(hào): CN111607262B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·C·弗雷澤;內(nèi)爾·波爾特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: P2I有限公司
• 主分類號(hào): C09D4/02
• 分類號(hào): C09D4/02
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 姚亮;張德斌

1.一種用于在基材上形成聚合物納米涂層的方法，所述方法包含使所述基材暴露于包含一種或多種不飽和單體物種的等離子體足夠允許在所述基材上形成所述涂層的一段時(shí)間，其中所述一種或多種不飽和單體物種包含單體化合物，所述單體化合物是不飽和的并且包含(i)芳香族部分和(ii)羰基部分，其中所述單體化合物不含任何氟原子，并且其中所述一種或多種不飽和單體物種還包含交聯(lián)試劑，

其中所述交聯(lián)試劑獨(dú)立地選自式(II)或(III)的化合物：

其中

Y¹、Y²、Y³、Y⁴、Y⁵、Y⁶、Y⁷及Y⁸各自獨(dú)立地選自氫、任選地被取代的支鏈或直鏈C₁-C₆烷基、任選地被取代的C₁-C₆環(huán)烷基及任選地被取代的C₁-C₆芳基；并且

L是具有下式的連接部分：

其中

每個(gè)Y⁹獨(dú)立地選自鍵、-O-、-O-C(O)-、-C(O)-O-、-Y¹¹-O-C(O)-、-C(O)-O-Y¹¹-、-O-C(O)-Y¹¹-、-Y¹¹-C(O)-O-、-OY¹¹-及-Y¹¹O-，其中Y¹¹是任選地被取代的支鏈、直鏈或環(huán)狀C₁-C₈亞烷基；并且

Y¹⁰選自任選地被取代的支鏈、直鏈或環(huán)狀C₁-C₈亞烷基、亞芳基和硅氧烷基團(tuán)；

其中所述交聯(lián)試劑不含任何氟原子；以及

其中所述單體化合物是式(I)的化合物：

其中

Q選自結(jié)構(gòu)(Qa)和(Qb)：

,

其中R¹、R²和R³中的每一個(gè)獨(dú)立地選自氫、任選地被取代的支鏈或直鏈C₁-C₆烷基、或任選地被取代的C₃-C₈環(huán)烷基；

Z是直接鍵或連接部分；并且

Ar是任選地被取代的芳香族部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中R¹、R²和R³中的每一個(gè)獨(dú)立地選自氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、仲丁基、正戊基、新戊基、正己基、異己基及3-甲基戊基。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中R¹、R²和R³中的每一個(gè)均是氫。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述式(I)的單體化合物是式(Ia)的化合物：

。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中Z具有下式：

-(CH₂)_n-

其中n是0至27的整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中n是0至2的整數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中n是1。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中Ar是任選地被取代的單環(huán)芳香族部分或任選地被取代的雙環(huán)芳香族部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中Ar是任選地被取代的C₃-C₁₂芳基。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中Ar是任選地被取代的苯基。