[發(fā)明專利]具有射頻（RF）芯片的微電子封裝

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• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN111725184A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·埃爾謝爾比尼;J·斯旺;H·布勞尼施;T·卡姆嘎因;A·阿列克索夫;S·利夫;G·多吉阿米斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L25/18;H01L21/98
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種微電子封裝，包括：

封裝襯底；

管芯，與所述封裝襯底耦合；

波導(dǎo)，與所述封裝襯底耦合；以及

射頻(RF)芯片，通過具有第一間距的第一互連與所述管芯耦合，并且所述射頻芯片還通過具有大于所述第一間距的第二間距的第二互連與所述波導(dǎo)通信耦合；

其中，所述RF芯片用于經(jīng)由所述第一互連從所述管芯接收數(shù)據(jù)，并且所述RF芯片用于促進(jìn)將所述數(shù)據(jù)作為頻率大于20吉赫茲(GHz)的電磁信號傳輸?shù)剿霾▽?dǎo)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子封裝，其中，所述RF芯片通過所述第二互連直接與所述波導(dǎo)物理耦合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子封裝，其中，所述RF芯片用于從所述管芯接收所述數(shù)據(jù)作為基帶信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子封裝，其中，所述電磁信號的頻率大于300GHz。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的微電子封裝，其中，所述RF芯片至少部分位于所述波導(dǎo)和所述管芯之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的微電子封裝，其中，所述波導(dǎo)至少部分位于所述封裝襯底內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的微電子封裝，其中，所述RF芯片還用于接收頻率大于20GHz的第二電磁信號，并將來自所述第二電磁信號的數(shù)據(jù)傳輸?shù)剿龉苄尽?/p>

8.一種微電子封裝，包括：

封裝襯底，包括波導(dǎo)；

管芯，通過具有第一間距的第一互連與所述封裝襯底耦合；以及

射頻(RF)芯片，設(shè)置成至少部分與所述第一互連相鄰，并通過具有小于所述第一間距的第二間距的第二互連與所述管芯耦合；

其中，所述RF芯片用于：

識別從所述管芯接收的基帶信號中的數(shù)據(jù)；

生成頻率至少為20吉赫茲(GHz)的電磁信號，其中，所述電磁信號包括所述數(shù)據(jù)；以及

促進(jìn)將所述電磁信號傳輸?shù)剿霾▽?dǎo)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微電子封裝，其中，所述電磁信號的頻率至少為300GHz。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微電子封裝，其中，所述RF芯片通過第三互連與所述波導(dǎo)物理和通信耦合，并且其中，所述第三互連具有所述第一間距，并且其中，所述RF芯片用于促進(jìn)將所述電磁信號經(jīng)由所述第三互連傳輸?shù)剿霾▽?dǎo)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微電子封裝，其中，所述RF芯片用于促進(jìn)將所述電磁信號經(jīng)由所述第一互連傳輸?shù)剿霾▽?dǎo)。

12.根據(jù)權(quán)利要求8-11中任一項(xiàng)所述的微電子封裝，其中，所述第一互連包括位于所述封裝襯底和所述管芯之間的一個或多個柱。

13.根據(jù)權(quán)利要求8-11中任一項(xiàng)所述的微電子封裝，其中，所述RF芯片與所述波導(dǎo)相鄰但不直接物理耦合，并且其中，所述RF芯片用于促進(jìn)將所述電磁信號經(jīng)由電容或電磁通信傳輸?shù)剿霾▽?dǎo)。

14.根據(jù)權(quán)利要求8-11中任一項(xiàng)所述的微電子封裝，其中，所述波導(dǎo)至少部分位于所述封裝襯底內(nèi)。

15.一種形成微電子封裝的方法，所述方法包括：

通過具有第一間距的第一互連將射頻(RF)芯片與管芯耦合；以及

通過具有大于所述第一間距的第二間距的第二互連將所述管芯與封裝襯底耦合；

其中，所述RF芯片用于：

從管芯接收基帶信號；

基于所述基帶信號，生成具有至少毫米波(mmWave)頻率的電磁信號；以及

促進(jìn)將所述電磁信號傳輸?shù)剿龇庋b襯底的波導(dǎo)。