[發明專利]晶圓承載托盤及半導體加工設備在審
| 申請號： | 202010108045.6 | 申請日： | 2020-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN111180370A | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 國唯唯 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 承載 托盤 半導體 加工 設備 | ||
1.一種晶圓承載托盤，設置于半導體工藝腔室的卡盤上，其特征在于，
所述托盤包括頂面和底面；
所述頂面上開設有多個用于容置晶圓的容置槽，所述底面上開設有多條冷卻溝槽；所述冷卻溝槽與所述卡盤的冷卻通道連通；
所述冷卻溝槽與所述容置槽之間無氣流通道。
2.根據權利要求1所述的晶圓承載托盤，其特征在于，所述多條冷卻溝槽包括相互連通的多條徑向溝槽和多條周向溝槽；
所述多條徑向溝槽呈放射狀從所述底面的中心向邊緣延伸，所述多條周向溝槽以所述底面的中心為圓心、呈多個同心圓分布。
3.根據權利要求1所述的晶圓承載托盤，其特征在于，所述底面與所述卡盤的上表面密封貼合。
4.根據權利要求1所述的晶圓承載托盤，其特征在于，所述頂面上還設置有附加層，所述附加層用于在刻蝕所述晶圓時與等離子體作用，以降低或提高所述晶圓邊緣的刻蝕速率。
5.根據權利要求4所述的晶圓承載托盤，其特征在于，所述附加層覆蓋在所述頂面除開設所述容置槽的區域。
6.根據權利要求4所述的晶圓承載托盤，其特征在于，所述附加層的材質包括碳化硅、氧化鋁及硅中的任意一種。
7.根據權利要求1-6任一項所述的晶圓承載托盤，其特征在于，所述托盤為導電材質制成，且所述托盤的導熱系數高于石英的導熱系數。
8.根據權利要求7所述的晶圓承載托盤，其特征在于，所述托盤的材質包括碳化硅。
9.根據權利要求1-6任一項所述的晶圓承載托盤，其特征在于，所述托盤應用于所述鋁鎵銦磷基的晶圓的刻蝕工藝。
10.一種半導體加工設備，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的晶圓承載托盤。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
