[發(fā)明專利]一種暴露高活性面氧化鐵光電催化劑的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010107974.5 | 申請日: | 2020-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN111215070B | 公開(公告)日: | 2023-04-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫佳偉;曾祥華;夏煒煒;鄭倩 | 申請(專利權(quán))人: | 揚州大學(xué) |
| 主分類號: | C25B11/087 | 分類號: | C25B11/087;C25B1/04;C25B11/077;C25B11/052 |
| 代理公司: | 南京理工大學(xué)專利中心 32203 | 代理人: | 鄒偉紅 |
| 地址: | 225009 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 暴露 活性 氧化鐵 光電 催化劑 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種暴露高活性面的多孔氧化鐵光電催化劑的制備方法,其步驟為:將(NHsubgt;4/subgt;)subgt;2/subgt;Fe(SOsubgt;4/subgt;)subgt;2/subgt;,CHsubgt;3/subgt;COONa?3Hsubgt;2/subgt;O,Nasubgt;2/subgt;SOsubgt;4/subgt;置于水中,攪拌均勻;將所得溶液置于反應(yīng)釜中,將經(jīng)親水處理的FTO玻璃垂直放入反應(yīng)釜中,進行高溫反應(yīng);反應(yīng)結(jié)束后,將所得樣品取出清洗干凈,置于管式爐中,并通入氮氣,控制管式爐在1小時內(nèi)升溫至550℃,保持2小時,所得樣品清洗、干燥即得所述的催化劑。本發(fā)明制備的樣品暴露了更多的催化活性晶面,與之對應(yīng)的光電產(chǎn)氧性能有了一個很大的提升,與此同時制備工藝簡單、成本低廉,因而具有廣泛的應(yīng)用價值和應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光電催化材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種暴露高活性面的多孔氧化鐵光電催化劑的制備方法。
背景技術(shù)
隨著全球氣候變暖、能源短缺以及環(huán)境污染問題的出現(xiàn),光電化學(xué)分解水作為一種能將清潔太陽能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能的方式而備受關(guān)注,高效光陽極是光電化學(xué)分解水技術(shù)的瓶頸和研究的熱點。氧化鐵半導(dǎo)體材料由于其帶隙窄(2.2eV)、光電化學(xué)穩(wěn)定性好、價廉無污染等優(yōu)點成為光電化學(xué)分解水技術(shù)最具潛力的一種光陽極材料。但由于其光生載流子的壽命短、載流子遷移率低、電導(dǎo)率差和出氧動力不足等因素使得其光電化學(xué)性能與理論值{開啟電勢為0.4V(vs.RHE)、飽和電流為12.6mA/cm-2相差較大。
針對氧化鐵的各種不足已經(jīng)提出多種解決辦法,例如構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu),進行離子摻雜等;然而很少有人注意到直接優(yōu)化氧化鐵的結(jié)構(gòu),使之暴露更多的催化活性面也是提高氧化鐵光電解水的重要途徑。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有優(yōu)秀光電性能且可循環(huán)穩(wěn)定使用、合成成本低、工藝簡單的暴露高活性面多孔氧化鐵光電催化劑的制備方法。
實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種暴露高活性面的多孔氧化鐵光電催化劑的制備方法,包括如下步驟:
(1)將(NH4)2Fe(SO4)2,CH3COONa?3H2O,Na2SO4置于去離子水中,攪拌均勻;
(2)將步驟(1)所得溶液置于反應(yīng)釜中,將經(jīng)親水處理的FTO玻璃垂直放入反應(yīng)釜中,進行高溫反應(yīng);
(3)反應(yīng)結(jié)束后,將所得樣品取出清洗干凈,置于管式爐中,并通入氮氣,控制管式爐在1小時內(nèi)升溫至550℃,保持2小時,所得樣品清洗、干燥即得所述的催化劑。
較佳的,(NH4)2Fe(SO4)2,CH3COONa?3H2O,Na2SO4的摩爾比為1:2:1。
較佳的,步驟(2)中,高溫反應(yīng)的溫度為100℃,反應(yīng)時間為7h。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
與傳統(tǒng)的氧化鐵相比,本發(fā)明制備的樣品暴露了更多的催化活性晶面,與之對應(yīng)的光電產(chǎn)氧性能有了一個很大的提升,與此同時制備工藝簡單、成本低廉,因而具有廣泛的應(yīng)用價值和應(yīng)用前景。
附圖說明
圖1為本發(fā)明所述的實施例1與實施例2對比的線性伏安曲線圖。
圖2為本發(fā)明所述的實施例1(A)與實施例2(B)在FTO襯底上制備出薄膜的實物圖。
圖3為本發(fā)明所述的實施例2的SEM平面圖。
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