[發明專利]一種圖像傳感器結構在審
| 申請號： | 202010107813.6 | 申請日： | 2020-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN111312693A | 公開（公告）日： | 2020-06-19 |
| 發明（設計）人： | 范春暉;王瑋 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/58 | 分類號： | H01L23/58;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;張磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 圖像傳感器 結構 | ||
1.一種圖像傳感器結構，其特征在于，包括：襯底，設于所述襯底上的淺槽隔離區，依次位于所述淺槽隔離區之間的光電二極管、傳輸晶體管和浮置擴散區；其中，靠近所述光電二極管一側的所述淺槽隔離區的表面上設有電極，所述電極的邊界位于所述淺槽隔離區的邊界以內。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器結構，其特征在于，還包括：設于所述光電二極管與其一側的所述淺槽隔離區之間的所述襯底中的第一隔離層。
3.根據權利要求2所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述第一隔離層為對所述電極施加負壓后，在所述光電二極管與其一側的所述淺槽隔離區之間的所述襯底中所形成的耗盡層。
4.根據權利要求3所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述負壓的調節范圍為-3.3伏到0伏。
5.根據權利要求3所述的圖像傳感器結構，其特征在于，還包括：設于所述第一隔離層和光電二極管上方的所述襯底中的第二隔離層。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述電極的材料為多晶硅或金屬。
7.根據權利要求1所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述電極的邊界與所述淺槽隔離區的邊界之間距離為0.05微米到0.5微米。
8.根據權利要求1所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述電極的厚度為0.02微米到0.2微米。
9.根據權利要求6所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述傳輸晶體管設有多晶硅柵，所述電極的材料為多晶硅時，所述電極的厚度與所述多晶硅柵的厚度一致。
10.根據權利要求1所述的圖像傳感器結構，其特征在于，所述襯底為硅襯底。
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