[發明專利]測量裝置、光刻系統、曝光裝置、測量方法以及曝光方法有效
| 申請號: | 202010107659.2 | 申請日: | 2016-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN111176083B | 公開(公告)日: | 2023-07-28 |
| 發明(設計)人: | 柴崎祐一 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 王天堯;湯在彥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測量 裝置 光刻 系統 曝光 測量方法 以及 方法 | ||
本發明提供一種測量裝置、光刻系統、曝光裝置、測量方法以及曝光方法,該測量裝置(100)具備可保持基板(W)與XY平面平行移動的滑件(10)、驅動滑件的驅動系統、可從讀頭部(32)對設置于滑件具有格子部(RG1)的測量面照設多條光束并接收該多條光束各個的來自測量面的返回光束以測量滑件的包含絕對位置坐標的至少3自由度方向的位置信息的位置測量系統(30)、檢測基板上的標記的標記檢測系統(MDS)以及一邊控制滑件的驅動并一邊使用標記檢測系統分別檢測基板上的多個標記一邊根據各標記的檢測結果與檢測時的位置測量系統的測量信息求出各標記的絕對位置坐標的控制裝置。
本申請是申請日為2016年02月23日,申請號為201680012129.1,發明名稱為測量裝置、光刻系統及曝光裝置、以及管理方法、重迭測量方法及組件制造方法的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及測量裝置、光刻系統及曝光裝置、以及管理方法、重迭測量方法及組件制造方法,特別涉及測量在基板上形成的多個標記的位置信息的測量裝置以及具備具有載置結束了用該測量裝置進行的多個標記的位置信息的測量的基板的基板載臺的曝光裝置與所述測量裝置的光刻系統、及具備所述測量裝置的曝光裝置、以及管理基板上多個區劃區域的排列的變動的管理方法、以基板為測量對象的重迭測量方法、及使用所述光刻系統或曝光裝置的組件制造方法。
背景技術
在制造半導體組件等的光刻步驟中,在晶圓或玻璃板片等的基板(以下,統稱為晶圓)上重迭形成多層的電路圖案,但當在各層間的重迭精度不良時,半導體組件等即無法發揮既定電路特性,有時可能成為不良品。因此,一般在晶圓上的多個照射(shot)區域的各個預先形成標記(對準標記),檢測該標記在曝光裝置的載臺坐標系上的位置(坐標值)。之后,根據此標記位置信息與新形成的圖案(例如標線片圖案)的已知的位置信息,進行將晶圓上的1個照射區域相對該圖案的定位的晶圓對準。
作為晶圓對準的方式,為兼顧產量,主流是僅檢測晶圓上若干個照射區域(亦稱取樣照射區域或對準照射區域)的對準標記,以統計方式算出晶圓上照射區域的排列的全晶圓增強型對準(EGA)。
然而,當在光刻步驟中對晶圓上進行重迭曝光時,經過光阻涂布、顯影、蝕刻、CVD(化學汽相沉積)、CMP(化學機械研磨)等過程處理步驟的晶圓,有可能因該過程而在前層的照射區域的排列中產生變形,該變形即有可能成為重迭精度降低的原因。有鑒于此,近來的曝光裝置具備不僅具有修正晶圓的1次成分還修正因過程產生的照射排列的非線性成分等的格子(grid)修正功能等(例如,參照專利文獻1)。
一直以來,例如通過針對刻有標記的基準晶圓,使用格子(Grid)管理用的專用標線片進行重迭曝光來進行因裝置引起的晶圓格子變動的管理。此處,所謂晶圓格子,是指將依據照射分區圖(關于晶圓上形成的照射(shot)區域的排列的數據)排列的晶圓上的照射區域的中心加以鏈接形成的格子。在本說明書中也將晶圓格子簡稱為「格子」、或記載為「照射區域(或照射)的排列」。
本來,針對所有照射分區圖,就每一照射分區圖進行格子管理是較理想的,但如此一來將需要無數片標線片與無數片晶圓,因此使用基準晶圓及上述專用標線片。
然而,能刻于基準晶圓的標記無論多么細微仍有其限度、且是離散的,因此用曝光裝置用戶的制品照射分區圖來進行晶圓格子的管理是困難的。此外,使用基準晶圓的格子管理,一般是根據以下的前提(假定),伴隨著某種妥協。
格子的誤差是依存于坐標,同一場所具有相同誤差。若是在測量了標記的位置、并進行了格子誤差修正的點附近的話,被認為誤差也小。
掃描速度或掃描加速度等的誤差,不會導致格子誤差的產生。假設,即使導致格子誤差的產生,由于該誤差并非在每次掃描時變化,因此僅調整一次即可,無需定期進行維修保養。
在先技術文獻
[專利文獻1]美國申請公開第2002/0042664號說明書。
發明內容
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