[發(fā)明專利]圖像傳感器結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010107639.5
• 申請(qǐng)日: 2020-02-21
• 公開（公告）號(hào): CN111293132B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范春暉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司;成都微光集電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;張磊

1.一種圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底，設(shè)于所述襯底上的淺槽隔離區(qū)，依次位于所述淺槽隔離區(qū)之間的光電二極管、傳輸晶體管和浮置擴(kuò)散區(qū)，以及設(shè)于靠近所述光電二極管一側(cè)的所述淺槽隔離區(qū)表面上的導(dǎo)電層；其中，所述導(dǎo)電層至少覆蓋所述淺槽隔離區(qū)，在粒子照射下，所述導(dǎo)電層中產(chǎn)生負(fù)電荷，用于與所述淺槽隔離區(qū)的填充材料中產(chǎn)生的正電荷相互抵消。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層至少覆蓋靠近所述光電二極管一側(cè)的所述淺槽隔離區(qū)的整個(gè)表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)粒子由所述導(dǎo)電層的正面方向照射時(shí)，所述導(dǎo)電層覆蓋靠近所述光電二極管一側(cè)的所述淺槽隔離區(qū)的整個(gè)表面，并向所述光電二極管一側(cè)延伸至所述光電二極管的側(cè)部上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)粒子由所述導(dǎo)電層的背面方向照射時(shí)，所述導(dǎo)電層覆蓋靠近所述光電二極管一側(cè)的所述淺槽隔離區(qū)的整個(gè)表面，并向所述光電二極管一側(cè)延伸至覆蓋整個(gè)所述光電二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度與所述淺槽隔離區(qū)的體積成正比。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層材料為氮化鈦或氮化鉭，所述淺槽隔離區(qū)的填充材料為二氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度為10納米到200納米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：設(shè)于所述光電二極管上方的所述襯底中的隔離區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離區(qū)為注入層，其與所述光電二極管之間形成PN結(jié)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底為硅襯底。