[發明專利]一種降低硅片表面冰黏附強度的方法有效
| 申請號： | 202010107340.X | 申請日： | 2020-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN111181485B | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 何志偉;夏麗娜 | 申請（專利權）人： | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號： | H02S40/12 | 分類號： | H02S40/12;C09D183/04 |
| 代理公司： | 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 孫孟輝 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 硅片 表面 黏附 強度 方法 | ||
1.一種降低硅片表面冰黏附強度的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S10，在硅材料表面制備微孔；
步驟S20，在帶微孔的所述硅材料表面覆蓋PDMS膜（2）；
步驟S30，將所述PDMS膜（2）固化在所述硅材料表面。
2.根據權利要求1所述的一種降低硅片表面冰黏附強度的方法，其特征在于，所述微孔，高度在1.1微米以下。
3.根據權利要求1所述的一種降低硅片表面冰黏附強度的方法，其特征在于，所述微孔，高度為1.1微米。
4.根據權利要求1所述的一種降低硅片表面冰黏附強度的方法，其特征在于，所述步驟S20，所述PDMS膜（2）黏貼在帶微孔的所述硅材料表面之前，先利用氧等離子體清潔帶微孔的硅材料表面。
5.根據權利要求1所述的一種降低硅片表面冰黏附強度的方法，其特征在于，所述步驟S30，所述固化是將黏貼有所述PDMS膜（2）的帶微孔的所述硅材料以60℃-100℃進行烘烤1-3小時。
6.根據權利要求1所述的一種降低硅片表面冰黏附強度的方法，其特征在于，所述步驟S10，在硅材料表面制備微孔的方法，包括如下步驟：
步驟S101，在硅材料表面旋涂光刻膠；
步驟S102，曝光需制備微孔區域的所述光刻膠；
步驟S103，對曝光區域進行刻蝕。
7.根據權利要求6所述的一種降低硅片表面冰黏附強度的方法，其特征在于，所述步驟S103，利用電感耦合等離子體增強反應離子刻蝕進行刻蝕，刻蝕氣體O2和SF6的氣體比例為（30-40）：40，刻蝕時間為25分鐘至30分鐘之間。
8.根據權利要求7所述的一種降低硅片表面冰黏附強度的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體O2和SF6的氣體比例為30：40，刻蝕時間為30分鐘。
9.根據權利要求1所述的一種降低硅片表面冰黏附強度的方法，其特征在于，所述步驟S10，還包括在所述硅材料表面制備所述PDMS膜（2），包括如下步驟：
步驟S111，將PDMS預聚物與固化劑按質量比10:1混合；
步驟S112，將混合物進行充分攪拌；
步驟S113，將所述混合物抽真空，除去混合物中的氣泡；
步驟S114，將所述混合物旋涂在不帶微孔的所述硅材料上，得到PDMS涂層；
步驟S115，將旋涂完的硅材料以60℃-100℃進行烘烤1-3小時；
步驟S116，從烘烤完的硅材料上將所述PDMS膜（2）剝離。
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