[發明專利]半導體基材表面去除氟雜質的方法在審
| 申請號： | 202010107211.0 | 申請日： | 2020-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN113284788A | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發明（設計）人： | 鄒興富 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 基材 表面 去除 雜質 方法 | ||
1.一種半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，包括：
將待處理的半導體基材放入腔室中；
對所述腔室內加熱，以使所述腔室內的溫度達到預設溫度值，并對所述腔室抽真空，以使所述腔室內的壓強達到預設的壓強值；
在所述半導體基材在所述腔室內放置預定時間后，取出所述半導體基材并將其放入堿溶液中浸泡；
取出經過堿溶液浸泡的所述半導體基材并對其進行清洗。
2.如權利要求1所述的半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，對所述半導體基材進行清洗的方式為：
將所述半導體基材放入乙醇溶劑中清洗。
3.如權利要求1所述的半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，所述乙醇溶劑的溫度為23℃到25℃。
4.如權利要求1所述的半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，所述堿溶液為：在離子水添加氫氧化鉀而使PH大于或等于9的溶液。
5.如權利要求1所述的半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，所述半導體基材在所述堿溶液中浸泡的時間為20分鐘。
6.如權利要求1所述的半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，所述半導體基材在所述腔室內揮發出的氟離子氣體經過吸附處理。
7.如權利要求6所述的半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，真空泵通過真空管對所述腔室進行抽真空，其中真空管的末端設有用于吸附氟離子的活性炭，所述活性炭在所述真空管的末端的單位面積重量為1000m2/g。
8.如權利要求1所述的半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，所述預定時間為20分鐘。
9.如權利要求1所述的半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，所述預設溫度值為350℃，所述預設的壓強值為500帕。
10.如權利要求1所述的半導體基材表面去除氟雜質的方法，其特征在于，所述半導體基材為硅片。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
