[發(fā)明專(zhuān)利]用于交叉點(diǎn)型存儲(chǔ)器單元的雙極解碼器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010107174.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111613261A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | B.斯利尼瓦桑;S.K.古利亞尼;D.考;A.G.沙 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C11/408 | 分類(lèi)號(hào): | G11C11/408 |
| 代理公司: | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陳曉;陳嵐 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 交叉點(diǎn) 存儲(chǔ)器 單元 解碼器 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了用于交叉點(diǎn)型存儲(chǔ)器單元的雙極解碼器。存儲(chǔ)器解碼器使得能夠選擇交叉點(diǎn)型陣列存儲(chǔ)器的行或列的導(dǎo)體。解碼器包括用于施加偏置電壓以選擇或取消選擇導(dǎo)體的電路。導(dǎo)體可以是字線或位線。解碼器還包括選擇器件,其用于選擇性地向電路提供高壓偏置和低壓偏置兩者以使電路能夠施加偏置電壓。因此,單端設(shè)備為偏置電路提供任一軌。
技術(shù)領(lǐng)域
描述一般地與存儲(chǔ)器設(shè)備相關(guān),并且更具體地,描述涉及用于存儲(chǔ)器陣列的解碼器。
背景技術(shù)
存儲(chǔ)器設(shè)備包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器陣列。存儲(chǔ)器陣列包括位單元的陣列,其中單個(gè)位單元存儲(chǔ)一位(或多級(jí)單元中的多個(gè)位)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器設(shè)備位單元可以稱(chēng)為存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器設(shè)備位單元可以稱(chēng)為存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)器陣列通常是交叉點(diǎn)型陣列,其中在列和行的交叉點(diǎn)處形成位單元。通過(guò)經(jīng)由對(duì)行和列進(jìn)行偏置以把特定位單元作為目標(biāo)來(lái)尋址該位單元,從而完成對(duì)特定位單元的訪問(wèn)。
存儲(chǔ)器子系統(tǒng)包括解碼器電路,以連接到陣列并訪問(wèn)特定的位單元。通常,行被認(rèn)為在x軸上,列被認(rèn)為在y軸上,并且平臺(tái)(deck)(或單元的堆疊)被認(rèn)為在z軸上。將理解的是,z軸用于三維存儲(chǔ)器陣列,但不用于純平面存儲(chǔ)器陣列。解碼器選擇性地將位單元連接到其他訪問(wèn)電路,例如通過(guò)接通或關(guān)斷連接線。
傳統(tǒng)的解碼器電路是單極的,通過(guò)驅(qū)動(dòng)所期望的線來(lái)提供對(duì)接入線的訪問(wèn)。例如,在單極設(shè)計(jì)中,x軸將以一種極性偏置,并且y軸將以另一種極性偏置。與多個(gè)單極解碼器電路相比,雙極解碼器可以被更密集地設(shè)計(jì)。用于交叉點(diǎn)型存儲(chǔ)器單元的雙極解碼器傳統(tǒng)上包括兩個(gè)端子,這兩個(gè)端子可以用任一端子上的正(較高)或負(fù)(較低)電壓電位偏置。因此,雙極設(shè)計(jì)允許任一端子以任一電壓電位的極性偏置。
用于交叉點(diǎn)型位單元的雙極解碼器架構(gòu)是有作用的,但是需要單極設(shè)計(jì)兩倍數(shù)量的晶體管,因?yàn)樗鼈兙哂蓄~外的全局選擇晶體管。此外,由于額外的全局選擇晶體管以及P至N晶體管布局的設(shè)計(jì)間距規(guī)則,傳統(tǒng)的雙極解碼器設(shè)計(jì)響應(yīng)于極性切換事件具有高的能量影響,并且具有大的覆蓋區(qū)(footprint)。極性切換事件是指其中解碼器端子的極性切換極性的事件,例如從高到低或從低到高。具有極性切換的雙極解碼器傳統(tǒng)上具有大的晶體管以承受柵極處的能量,從而使覆蓋區(qū)更大并且需要增加能量來(lái)完成極性切換。設(shè)計(jì)間隔規(guī)則是指用于分離P型晶體管和N型晶體管的規(guī)則。P型晶體管是指具有以空穴作為主導(dǎo)載流子的導(dǎo)電溝道(P溝道)的晶體管。N型晶體管是指具有以電子作為主導(dǎo)載流子的導(dǎo)電溝道(N溝道)的晶體管。
附圖說(shuō)明
以下描述包括對(duì)附圖的討論,所述附圖具有通過(guò)實(shí)現(xiàn)方式的示例的方式給出的圖示。應(yīng)該通過(guò)示例的方式而非通過(guò)限制的方式來(lái)理解附圖。如本文所使用的,對(duì)一個(gè)或多個(gè)示例的參考應(yīng)被理解為描述了包括在本發(fā)明的至少一種實(shí)現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。本文中出現(xiàn)的諸如“在一個(gè)示例中”或“在替換示例中”之類(lèi)的短語(yǔ)提供了本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式的示例,并且不一定全部指代相同的實(shí)現(xiàn)方式。然而,它們也不一定相互排斥。
圖1是具有解碼器的存儲(chǔ)器陣列的示例的框圖,該解碼器具有用于提供高壓偏置和低壓偏置兩者的設(shè)備。
圖2是具有解碼器的被細(xì)分為陣列的存儲(chǔ)器架構(gòu)的示例的框圖,該解碼器具有用于提供高壓偏置和低壓偏置兩者的設(shè)備。
圖3A是利用不使用電壓拆分的架構(gòu)的目標(biāo)存儲(chǔ)器單元的選擇的示例的框圖。
圖3B是利用電壓拆分架構(gòu)的目標(biāo)存儲(chǔ)器單元的選擇的示例的框圖。
圖3C是傳統(tǒng)解碼器與具有如本文所述架構(gòu)的解碼器的示例之間的比較的表格表示。
圖4是具有用于提供高壓偏置或低壓偏置的選擇器件的雙極互補(bǔ)解碼器的示例的圖。
圖5是具有用于提供高壓偏置或低壓偏置的選擇器件的雙極解碼器的示例的圖。
圖6是具有用于提供高壓偏置或低壓偏置的高壓選擇器件和高壓取消選擇器件的雙極互補(bǔ)解碼器的示例的圖。
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