[發明專利]顯示設備及制造其的方法有效
| 申請號: | 202010107156.5 | 申請日: | 2020-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN111613149B | 公開(公告)日: | 2023-09-29 |
| 發明(設計)人: | 鄭珉在;金璟陪;蔡鍾哲;鄭京薰 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | G09F9/33 | 分類號: | G09F9/33;G09G3/32;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 制造 方法 | ||
1.顯示設備,包括:
發光二極管,包括第一導電型半導體、活性層和第二導電型半導體;
第一電壓線,第一電壓施加至所述第一電壓線;
第二電壓線,第二電壓施加至所述第二電壓線;
第一晶體管,包括電連接至所述第一電壓線的源電極以及電連接至所述發光二極管的第一電極且電連接至所述第一導電型半導體的漏電極;
第二晶體管,包括電連接至所述第一晶體管的柵電極的漏電極和電連接至施加數據信號的數據線的源電極;
電容器,電連接至所述第一晶體管的所述柵電極和所述發光二極管的所述第一電極;
第三晶體管,包括電連接至所述第二電壓線的源電極和電連接至所述發光二極管的所述第一電極的漏電極;
第三電壓線,第三電壓施加至所述第三電壓線,且所述第三電壓線電連接至所述發光二極管的所述第二導電型半導體;
第一掃描線,用于向所述第二晶體管的柵電極傳輸第一掃描信號;以及
第二掃描線,用于向所述第三晶體管的柵電極傳輸第二掃描信號。
2.如權利要求1所述的顯示設備,其中,在制造模式中,所述第二掃描信號施加至所述第二掃描線,而所述第一掃描信號不輸入至所述第一掃描線,以及
其中,施加至所述第一電壓線的所述第一電壓等于施加至所述第二電壓線的所述第二電壓。
3.如權利要求2所述的顯示設備,其中,在所述制造模式中,所述第一晶體管和所述第二晶體管截止,而所述第三晶體管導通,使得從所述第二電壓線施加的所述第二電壓通過所述第三晶體管施加至所述發光二極管的所述第一電極。
4.如權利要求3所述的顯示設備,其中,在所述制造模式中,施加至所述第三電壓線的所述第三電壓是交流電壓,且施加至所述第二電壓線的所述第二電壓是接地電壓。
5.如權利要求1所述的顯示設備,其中,在驅動模式中,所述第一掃描信號施加至所述第一掃描線使得所述第二晶體管導通。
6.如權利要求5所述的顯示設備,其中,在所述驅動模式中,所述數據信號通過所述第二晶體管傳輸至所述第一晶體管的所述柵電極,以及所述第一晶體管響應于所述數據信號而導通,使得施加至所述第一電壓線的所述第一電壓通過所述第一晶體管傳輸至所述發光二極管的所述第一電極。
7.如權利要求5所述的顯示設備,其中,在所述驅動模式中,所述第二掃描信號不施加至所述第二掃描線,使得所述第三晶體管截止。
8.如權利要求7所述的顯示設備,其中,在所述驅動模式中,施加至所述第一電壓線的所述第一電壓與從所述第三電壓線施加的所述第三電壓不同。
9.如權利要求5所述的顯示設備,其中,在所述驅動模式中,從所述第二電壓線施加的所述第二電壓是初始化電壓,以及
其中,所述第二掃描信號施加至所述第二掃描線使得所述第三晶體管導通,以及所述初始化電壓施加至所述發光二極管的所述第一電極。
10.如權利要求9所述的顯示設備,還包括:
第四晶體管,位于所述第二電壓線與所述第一晶體管的所述柵電極之間;
第五晶體管,位于所述第一電壓線與所述第一晶體管的所述源電極之間;
第六晶體管,位于所述第一晶體管的所述漏電極與所述發光二極管的所述第一電極之間;
第七晶體管,位于所述第六晶體管的漏電極與所述第四晶體管的漏電極之間;
第三掃描線,用于向所述第四晶體管的柵電極傳輸第三掃描信號;以及
發射控制線,用于向所述第五晶體管的柵電極和所述第六晶體管的柵電極傳輸發射控制信號。
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