[發(fā)明專利]雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)器、探測(cè)系統(tǒng)及成像方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010107082.5
• 申請(qǐng)日: 2020-02-21
• 公開（公告）號(hào): CN111198397A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐永;程佳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇康眾數(shù)字醫(yī)療科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01T1/36
• 分類號(hào): G01T1/36;A61B6/00
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 吳芳

1.一種雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)器，其特征在于，包括順次層疊設(shè)置的第一可見光傳感器(1)、第一熒光材料層(3)、封裝材料隔層(5)、第二熒光材料層(4)和第二可見光傳感器(2)，所述第一可見光傳感器(1)較第二可見光傳感器(2)靠近X-射線源，所述第一可見光傳感器(1)的分辨率大于第二可見光傳感器(2)；

所述第一可見光傳感器(1)用于吸收由所述第一熒光材料層(3)受X-射線激發(fā)而產(chǎn)生的可見光子；所述第二可見光傳感器(2)用于吸收由第二熒光材料層(4)受X-射線激發(fā)而產(chǎn)生的可見光子；所述封裝材料隔層(5)用于隔離所述第一熒光材料層(3)受X-射線激發(fā)而產(chǎn)生的可見光子與第二熒光材料層(4)受X-射線激發(fā)而產(chǎn)生的可見光子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)器，其特征在于，所述第二熒光材料層(4)的厚度大于第一熒光材料層(3)的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)器，其特征在于，還包括沿著所述第一熒光材料層(3)和第二熒光材料層(4)側(cè)面設(shè)置一周的封裝材料壁層(6)，且所述封裝材料壁層(6)的一邊沿與第一可見光傳感器(1)相抵，另一邊沿與第二可見光傳感器(2)相抵。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)器，其特征在于，所述第一可見光傳感器(1)與第二可見光傳感器(2)形狀和大小相同，所述第一熒光材料層(3)和第二熒光材料層(4)形狀和大小相同，所述第一可見光傳感器(1)的面積大于所述第一熒光材料層(3)且所述封裝材料壁層(6)相對(duì)于所述第一可見光傳感器(1)和第二可見光傳感器(2)呈凹進(jìn)結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)器，其特征在于，所述封裝材料隔層(5)和封裝材料壁層(6)均為由X熒光的封裝材料制成，所述封裝材料為鋁薄膜和熱熔膠。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)器，其特征在于，所述第一熒光材料層(3)和第二熒光材料層(4)包含的X光轉(zhuǎn)可見光材料為碘化銫或其他閃爍體。

7.一種雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括X-射線源、第一圖像采集裝置、第二圖像采集裝置及如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)器，所述第一圖像采集裝置與第一可見光傳感器(1)電連接以采集第一圖像，所述第二圖像采集裝置與第二可見光傳感器(2)電連接以采集第二圖像。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，還包括處理器，所述處理器與所述第一圖像采集裝置和第二圖像采集裝置電連接，所述處理器能夠?qū)λ龅谝粓D像采集裝置采集的第一圖像和所述第二圖像采集裝置采集的第二圖像作圖像運(yùn)算處理。

9.一種基于權(quán)利要求7所述的雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)系統(tǒng)的成像方法，其特征在于，包括以下步驟：

打開X-射線源，使其向X-射線探測(cè)系統(tǒng)的第一可見光傳感器發(fā)射X-射線；

若目標(biāo)得到高分辨率圖像，則輸出第一圖像采集裝置采集的第一圖像；

若目標(biāo)得到高能吸收?qǐng)D像，則輸出第二圖像采集裝置采集的第二圖像。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成像方法，其特征在于，基于權(quán)利要求8所述的雙能譜雙分辨率的X-射線探測(cè)系統(tǒng)，所述成像方法還包括：

利用處理器對(duì)所述第一圖像和第二圖像作圖像運(yùn)算處理，得到合成的組合圖像。