[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010106988.5
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN111293135A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設計）人: 崔強偉;龔林輝;劉超;孟柯;汪楚航;王莉莉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/32
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張筱寧

本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板及其制造方法、顯示裝置。該顯示面板包括：透明基板，包括顯示區(qū)；發(fā)光器件，位于透明基板上，且在透明基板上的正投影區(qū)域位于顯示區(qū)內(nèi)；陣列電路，位于發(fā)光器件遠離透明基板的一側，與發(fā)光器件電連接，用于驅動發(fā)光器件發(fā)光，發(fā)光器件的發(fā)光面遠離陣列電路；綁定結構，位于陣列電路遠離發(fā)光器件的一側，且在透明基板上的正投影區(qū)域位于顯示區(qū)內(nèi)。由于陣列電路位于發(fā)光器件的背部，并且綁定結構位于陣列電路遠離發(fā)光器件的一側，能夠在發(fā)光器件的背部進行彎折綁定工藝，并不會在顯示面板的邊緣位置進行彎折綁定工藝，能夠真正意義上實現(xiàn)無邊框全面屏顯示，也使得高分辨率拼接顯示得以實現(xiàn)。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體為一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

微發(fā)光二極管(Micro LED)技術，即發(fā)光二極管微縮化和矩陣化技術，指的是在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的發(fā)光二極管陣列。微發(fā)光二極管由于其自發(fā)光、發(fā)光效率高、對比度高、工作溫度范圍寬、功耗低、對水和氧的阻絕性優(yōu)良，以及較快的響應時間等優(yōu)良特性，在大尺寸拼接屏應用領域受到越來越多的關注。

隨著窄邊框甚至無邊框全面屏技術的發(fā)展，諸多相關技術應運而生，比如側面綁定(Bonding)，側面走線(sidewiring)等，但由于側面走線的限制，顯示邊框減少仍有一定瓶頸，使得顯示面板邊緣仍保留一定的邊框，不能實現(xiàn)真正意義上的無邊框全面屏，對于拼接顯示，邊框拼縫的限制，使得實現(xiàn)高分辨率顯示難度較大。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N顯示面板及其制造方法、顯示裝置，用于解決現(xiàn)有技術中無法實現(xiàn)無邊框全面屏的技術問題。

為了解決上述問題，本申請實施例主要提供如下技術方案：

在第一方面中，本申請實施例公開了一種顯示面板，包括：

透明基板，包括顯示區(qū)；

發(fā)光器件，位于所述透明基板上，且在所述透明基板上的正投影區(qū)域位于所述顯示區(qū)內(nèi)；

陣列電路，位于所述發(fā)光器件遠離所述透明基板的一側，與所述發(fā)光器件電連接，用于驅動所述發(fā)光器件發(fā)光，所述發(fā)光器件的發(fā)光面遠離所述陣列電路；

綁定結構，位于所述陣列電路遠離所述發(fā)光器件的一側，且在所述透明基板上的正投影區(qū)域位于所述顯示區(qū)內(nèi)。

可選地，所述顯示面板還包括反光層，位于所述陣列電路與所述綁定結構之間，用于反射所述發(fā)光器件發(fā)出的朝向所述陣列電路一側的光。

可選地，所述顯示面板還包括粘合層，位于所述發(fā)光器件朝向所述透明基板的一側，用于粘合所述發(fā)光器件和所述透明基板。

可選地，所述顯示面板還包括緩沖層和平坦化層；所述緩沖層位于所述發(fā)光器件與所述陣列電路之間；所述平坦化層位于所述陣列電路與所述綁定結構之間。

可選地，所述緩沖層的材料包括具有粘性的環(huán)氧類材料。

可選地，所述發(fā)光器件包括第一電極、第二電極和發(fā)光層；所述陣列電路包括公共電極和若干陣列排列的薄膜晶體管；所述第一電極與所述公共電極電連接，所述第二電極與所述薄膜晶體管的源極或漏極電連接。

可選地，所述發(fā)光器件為微型發(fā)光二極管或有機發(fā)光器件。

在第二方面中，本申請實施例公開了一種顯示裝置，包括：第一方面所述的顯示面板。

在第三方面中，本申請實施例公開了一種顯示面板的制造方法，包括：

提供一透明基板，所述透明基板包括顯示區(qū)；

在所述透明基板上制作發(fā)光器件，所述發(fā)光器件在所述透明基板上的正投影區(qū)域位于所述顯示區(qū)內(nèi)；