[發明專利]一種顯示面板及顯示面板制程方法在審
| 申請號: | 202010106899.0 | 申請日: | 2020-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN111293153A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 周星宇;唐甲 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 方法 | ||
本申請實施例提供一種顯示面板及顯示面板制程方法,該顯示面板具有相鄰設置的像素區和綁定區。顯示面板包括:像素電極層,像素電極層至少部分設置在綁定區內,像素電極層包括:第一透明導電薄膜層,金屬層,第二透明導電薄膜層以及第三透明導電薄膜層。第一透明導電薄膜層包括相對設置的第一面和第二面;金屬層設置在第一面;第二透明導電薄膜層設置在金屬層遠離第一面的一側;第三透明導電薄膜層覆蓋第二透明導電薄膜層遠離金屬層的一側且包裹第一透明導電薄膜層、金屬層以及第二透明導電薄膜層的邊緣。本申請實施例提供的顯示面板通過增加第三透明導電膜層進行包裹,保護金屬層不被氧化。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示面板及顯示面板制程方法。
背景技術
頂發射的有機電致發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)面板,陽極通常采用金屬,長時間暴露比較容易氧化,通常外圍綁定(bonding)區域的PAD處,都需要去除金屬層,或不能使金屬層暴露在外界。
發明內容
本申請實施例提供一種顯示面板及顯示面板制程方法,能夠解決綁定區金屬層外露容易氧化的問題。
本申請提供一種顯示面板,包括:
所述顯示面板具有像素區和綁定區,所述像素區和所述綁定區相鄰設置;所述顯示面板包括:
像素電極層,所述像素電極層至少部分設置在所述綁定區內,所述像素電極層包括:
第一透明導電薄膜層,所述第一透明導電薄膜層包括相對設置的第一面和第二面;
金屬層,所述金屬層設置在所述第一面;
第二透明導電薄膜層,所述第二透明導電薄膜層設置在所述金屬層遠離所述第一面的一側;
第三透明導電薄膜層,所述第三透明導電薄膜層覆蓋所述第二透明導電薄膜層遠離所述金屬層的一側且包裹所述第一透明導電薄膜層、金屬層以及第二透明導電薄膜層的邊緣。
在一些實施例中,所述顯示面板還包括層間絕緣層、源漏極層、鈍化層、平坦化層以及像素定義層;所述平坦化層設置在所述像素電極層靠近所述第一透明導電膜層的一側;所述鈍化層設置在所述平坦化層遠離所述像素電極層的一側;所述源漏極層設置在所述鈍化層遠離所述平坦化層的一側;所述層間絕緣層設置在所述源漏極層遠離所述鈍化層的一側且所述源漏極層部分覆蓋所述層間絕緣層,所述鈍化層覆蓋所述源漏極層和所述層間絕緣層;所述像素定義層設置在所述像素電極層遠離所述平坦化層的一側且覆蓋所述平坦化層;
所述綁定區的所述鈍化層、平坦化層設置有第一接觸孔;所述第一接觸孔由所述平坦化層遠離所述鈍化層的一側表面延伸至所述源漏極層遠離所述層間絕緣層的一側表面;所述像素電極層通過所述第一接觸孔與所述源漏極層連接。
在一些實施例中,所述像素區的所述鈍化層、平坦化層設置有第二接觸孔,所述第二接觸孔由所述平坦化層遠離所述鈍化層的一側表面延伸至所述源漏極層遠離所述層間絕緣層的一側表面;所述像素電極層通過所述第二接觸孔與所述源漏極層連接。
在一些實施例中,所述綁定區的所述像素定義層設置有第一凹槽;所述第一凹槽由所述像素定義層遠離所述像素電極層的一側表面延伸至所述像素區的所述第三透明導電薄膜層遠離所述第一面的一側表面。
在一些實施例中,所述像素區的所述像素定義層設置有第二凹槽;所述第二凹槽由所述像素定義層遠離所述像素電極層的一側表面延伸至所述像素區的所述第三透明導電薄膜層遠離所述第一面的一側表面。
在一些實施例中,所述第一透明導電薄膜層、第二透明導電薄膜層和第三透明導電薄膜層的材料為氧化銦錫;所述金屬層的材料為銀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





