[發明專利]樹脂組合物、無機填充劑、直流電纜以及直流電纜的制造方法

有效

• 申請號: 202010106561.5
• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN111607144B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 細水康平;關口洋逸;山崎孝則
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C08L23/06
• 分類號: C08L23/06;C08L23/16;C08L23/12;C08K9/06;C08K3/22;C08K3/36;C08K5/14;H01B7/02;H01B13/14;H01B3/44;H01B3/28
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 常海濤;金小芳

1.一種樹脂組合物，其是構成絕緣層的樹脂組合物，

具有含有聚烯烴的基體樹脂、以及無機填充劑，

所述無機填充劑的表面具有：

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基團的疏水性甲硅烷基，

所述氨基甲硅烷基相對于所述無機填充劑的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩爾分數為2％以上90％以下，

所述無機填充劑由氧化鎂、二氧化硅、氧化鋅、氧化鋁、氧化鈦、及氧化鋯中的至少一者構成，

相對于100質量份的所述基體樹脂，所述無機填充劑的含量為0.1質量份以上10質量份以下。

2.根據權利要求1所述的樹脂組合物，其中，在反應溫度為850℃以及還原溫度為600℃的條件下，通過使用熱導率檢測器的氣相色譜法對所述無機填充劑的表面進行元素分析而求出的氮相對于碳的質量比為0.7％以上35％以下。

3.根據權利要求1所述的樹脂組合物，其中，所述氨基甲硅烷基具有含有所述氨基的烴基，

所述疏水性甲硅烷基中的所述疏水性基團的碳原子數小于所述氨基甲硅烷基中的含有所述氨基的所述烴基的碳原子數。

4.根據權利要求3所述的樹脂組合物，其中，所述氨基甲硅烷基中的含有所述氨基的所述烴基的碳原子數是3以上12以下。

5.根據權利要求1所述的樹脂組合物，其中，每個所述無機填充劑的所述表面當中的一部分與所述氨基甲硅烷基結合，其它部分與所述疏水性甲硅烷基結合。

6.根據權利要求1所述的樹脂組合物，其中，所述基體樹脂包含低密度聚乙烯，

當形成具有所述基體樹脂和所述無機填充劑并具有0.2mm厚度的樹脂組合物的片材時，在溫度為80℃且直流電場為50kV/mm的條件下測定的所述樹脂組合物的片材的體積電阻率為8×10¹⁵Ω·cm以上。

7.根據權利要求1所述的樹脂組合物，其中，所述基體樹脂包含通過將乙丙橡膠或乙丙二烯橡膠分散或共聚在聚乙烯或聚丙烯中而得的熱塑性彈性體，

當形成具有所述基體樹脂和所述無機填充劑并具有0.2mm厚度的樹脂組合物的片材時，在溫度為80℃且直流電場為50kV/mm的條件下測定的所述樹脂組合物的片材的體積電阻率為5×10¹⁵Ω·cm以上。

8.一種無機填充劑，其是混合至構成絕緣層的樹脂組合物中、且添加到含有聚烯烴的基體樹脂中的無機填充劑，

所述無機填充劑的表面具有：

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基團的疏水性甲硅烷基，

所述氨基甲硅烷基相對于所述無機填充劑的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩爾分數為2％以上90％以下，

所述無機填充劑由氧化鎂、二氧化硅、氧化鋅、氧化鋁、氧化鈦、及氧化鋯中的至少一者構成。

9.一種直流電纜，其具備：

導體、以及

被設置為覆蓋所述導體外周的絕緣層，

所述絕緣層由具有含有聚烯烴的基體樹脂以及無機填充劑的樹脂組合物構成，

所述無機填充劑的表面具有：

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基團的疏水性甲硅烷基，

所述氨基甲硅烷基相對于所述無機填充劑的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩爾分數為2％以上90％以下，

所述無機填充劑由氧化鎂、二氧化硅、氧化鋅、氧化鋁、氧化鈦、及氧化鋯中的至少一者構成，

相對于100質量份的所述基體樹脂，所述無機填充劑的含量為0.1質量份以上10質量份以下。

10.一種直流電纜的制造方法，其具備：

制備具有含有聚烯烴的基體樹脂以及無機填充劑的樹脂組合物的步驟、以及

使用所述樹脂組合物形成絕緣層以覆蓋導體外周的步驟，

所述無機填充劑由氧化鎂、二氧化硅、氧化鋅、氧化鋁、氧化鈦、及氧化鋯中的至少一者構成，

相對于100質量份的所述基體樹脂，所述無機填充劑的含量為0.1質量份以上10質量份以下，

制備所述樹脂組合物的步驟具有采用含有氨基的氨基硅烷偶聯劑和含有疏水性基團的疏水性硅烷偶聯劑對所述無機填充劑進行表面處理的步驟，

在對所述無機填充劑進行表面處理的步驟中，

使來自于所述氨基硅烷偶聯劑的含有所述氨基的氨基甲硅烷基、以及來自于所述疏水性硅烷偶聯劑的含有所述疏水性基團的疏水性甲硅烷基結合在所述無機填充劑的表面上，

所述氨基甲硅烷基相對于所述無機填充劑的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩爾分數為2％以上90％以下。