[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

在審

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• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN113097181A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丘世仰
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L23/48
• 代理公司: 北京中譽(yù)威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279
• 代理人: 席勇;董云海

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體晶圓，具有頂側(cè)與背側(cè)，其中所述半導(dǎo)體晶圓包括：

第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體井；

第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體井，其中所述第二導(dǎo)電類型不同于所述第一導(dǎo)電類型，所述第一半導(dǎo)體井設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體井內(nèi)且自所述頂側(cè)裸露；

半導(dǎo)體裝置，形成于所述第一半導(dǎo)體井內(nèi)；

所述第一導(dǎo)電類型的多個第一半導(dǎo)體摻雜區(qū)域，其中所述多個第一半導(dǎo)體摻雜區(qū)域設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)且圍繞所述半導(dǎo)體裝置；以及

多個第一硅穿孔，其中每個第一硅穿孔從所述背側(cè)經(jīng)過所述第一與第二半導(dǎo)體井延伸至相應(yīng)的第一半導(dǎo)體摻雜區(qū)域內(nèi)，每個第一硅穿孔被導(dǎo)電材料所填滿，并且每個第一硅穿孔從所述背側(cè)連接直流電壓或是接地電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)一步包括：

多個導(dǎo)電凸塊，其中每個導(dǎo)電凸塊設(shè)置于所述背側(cè)且連接至相應(yīng)的第一硅穿孔，并且每個導(dǎo)電凸塊連接至直流電壓或是接地電壓。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)一步包括：

重分布層，設(shè)置于所述背側(cè)，其中所述重分布層連接所述多個第一硅穿孔，導(dǎo)電凸塊設(shè)置于所述重分布層上，并且所述導(dǎo)電凸塊連接至直流電壓或是接地電壓。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)一步包括：

所述第二導(dǎo)電類型的多個第二半導(dǎo)體摻雜區(qū)域，其中所述第二半導(dǎo)體摻雜區(qū)域設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體井內(nèi)且圍繞所述第一半導(dǎo)體井；以及

多個第二硅穿孔，其中每個第二硅穿孔從所述背側(cè)通過所述第二半導(dǎo)體井延伸至相應(yīng)的第二半導(dǎo)體摻雜區(qū)域，每個第二硅穿孔被導(dǎo)電材料所填滿。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是晶體管，并且所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)一步包括：

隔離區(qū)域，設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體摻雜區(qū)域與所述晶體管之間，其中所述晶體管為所述隔離區(qū)域所圍繞。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)一步包括：

絕緣層，形成于所述頂側(cè)之上且覆蓋所述晶體管；以及

導(dǎo)線，形成于所述頂側(cè)上且連接所述晶體管，其中所述導(dǎo)線重疊于所述多個第一半導(dǎo)體摻雜區(qū)域。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是p型，并且所述第二導(dǎo)電類型是n型。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶體管具有源極端、漏極端與柵極端，所述源極端與所述漏極端是在第一半導(dǎo)體井內(nèi)的n摻雜區(qū)域，并且所述柵極端是形成于位于所述源極端與所述漏極端之間的通道區(qū)之上。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)一步包括：

絕緣層，形成于所述頂側(cè)之上且覆蓋所述晶體管，其中所述絕緣層具有遠(yuǎn)離所述頂側(cè)的頂面，

其中所述源極端、所述漏極端與所述柵極端之中每一個都連接延伸至所述頂面的電極，每個電極連接至形成于所述絕緣層的所述頂面之上的導(dǎo)線，并且每個電極連接至形成于所述絕緣層的所述頂面之上的導(dǎo)線。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線進(jìn)一步重疊于所述第一半導(dǎo)體井與所述第二半導(dǎo)體井。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是所述第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域形成于所述第一半導(dǎo)體井內(nèi)，并且所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)一步包括：

第二硅穿孔，從所述背側(cè)通過所述第一與第二半導(dǎo)體井延伸至所述第二半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)，其中所述第二硅穿孔被導(dǎo)電材料填滿。