[發(fā)明專利]一種金屬網(wǎng)格優(yōu)化的抗燒蝕ZrHfC/SiC復相陶瓷涂層的制備方法及抗燒蝕復合材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010105647.6 | 申請日: | 2020-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN111233518B | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫威;許俊杰;熊翔 | 申請(專利權)人: | 中南大學 |
| 主分類號: | C04B41/89 | 分類號: | C04B41/89 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 劉穎 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 網(wǎng)格 優(yōu)化 抗燒蝕 zrhfc sic 陶瓷 涂層 制備 方法 復合材料 | ||
1.一種金屬網(wǎng)格優(yōu)化的抗燒蝕ZrHfC/SiC復相陶瓷涂層的制備方法,包括以下步驟:
S1、將高熔點金屬網(wǎng)和包含Hf粉的漿料無次序地置于炭基體上,經(jīng)干燥處理形成預制涂層;所述高熔點金屬網(wǎng)為金屬鎢網(wǎng);
S2、采用包含Zr粉和Si粉的混合粉料,在形成預制涂層的基體上通過加熱蒸鍍并反應,得到抗燒蝕ZrHfC/SiC復相陶瓷涂層;
所述抗燒蝕ZrHfC/SiC復相陶瓷涂層中含有ZrxHf1-xC、硅化鎢、ZrSi2和SiC相。
2.根據(jù)權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述高熔點金屬網(wǎng)目數(shù)為20目-1000目。
3.根據(jù)權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述包含Hf粉的漿料按照如下步驟獲得:將Zr粉和Hf粉與PVA溶液混合,得到包含Hf粉的漿料;所述Zr粉與Hf粉的質量百分比例為(0~33%):(100~67%)。
4.根據(jù)權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S1具體為:將包含Hf粉的漿料涂覆在炭基體上,將高熔點金屬網(wǎng)置于已涂覆漿料的基體上,并在其上繼續(xù)涂覆所述包含Hf粉的漿料,經(jīng)干燥處理形成預制涂層;所述涂覆采用刷涂的方式,刷涂1~8遍。
5.根據(jù)權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中,所述干燥處理的溫度為100~250℃,保溫時間為1~8h,得到預制涂層。
6.根據(jù)權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S2中,所述混合粉料中Zr粉與Si粉的質量百分比例為(50%~70%):(50%~30%)。
7.根據(jù)權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S2中,所述加熱到溫度為2200℃~2400℃,進行蒸鍍并反應,在基體上形成抗燒蝕ZrHfC/SiC復相陶瓷涂層。
8.根據(jù)權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S2中,所述形成預制涂層的基體置于所述混合粉料上方1~5cm處。
9.根據(jù)權利要求1~8中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述炭基體為高純石墨基體或密度大于1.8g/cm3的C/C基體;所述抗燒蝕ZrHfC/SiC復相陶瓷涂層的厚度為400~650μm,外層主要為ZrxHf1-xC,硅化鎢和ZrSi2相彌散分布于涂層中部,SiC相分布在基體與外層之間形成過渡層。
10.一種抗燒蝕復合材料,包括權利要求1~9任一項所述的制備方法中的炭基體和所形成的抗燒蝕ZrHfC/SiC復相陶瓷涂層。
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