[發明專利]一種線路結構蝕刻方法、裝置、系統與設備在審
| 申請號: | 202010105584.4 | 申請日: | 2020-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN111185665A | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 張立國 | 申請(專利權)人: | 武漢銥科賽科技有限公司 |
| 主分類號: | B23K26/06 | 分類號: | B23K26/06;B23K26/362;B23K26/70 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 馮瑛琪 |
| 地址: | 430000 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 線路 結構 蝕刻 方法 裝置 系統 設備 | ||
1.一種線路結構蝕刻方法,其特征在于:包括以下步驟,
將第一能量束和第二能量束射向待加工工件表面,并對應在所述待加工工件表面形成相離的第一聚焦能量斑和第二聚焦能量斑;其中,所述第一聚焦能量斑和所述第二聚焦能量斑構成組合能量斑;
通過控制所述第一能量束和所述第二能量束,使所述第一聚焦能量斑與所述第二聚焦能量斑構成的組合能量斑在所述待加工工件表面運動并加工,并使所述第一聚焦能量斑與所述第二聚焦能量斑之間的中心間距在垂直于所述組合能量斑運動方向上的分量為預設值,且大于所述第一聚焦能量斑的有效直徑與所述第二聚焦能量斑的有效直徑和的一半,則在所述第一聚焦能量斑與所述第二聚焦能量斑之間未被所述第一聚焦能量斑和所述第二聚焦能量斑加工的區域形成線路;
其中,所述第一聚焦能量斑與所述第二聚焦能量斑之間滿足d*sinθ(D1+D2)/2,其中,d為所述第一聚焦能量斑與所述第二聚焦能量斑之間的中心間距,θ為所述第一聚焦能量斑與所述第二聚焦能量斑之間的中心連線與所述組合能量斑運動方向之間的夾角,d*sinθ為所述第一聚焦能量斑與所述第二聚焦能量斑之間的中心間距在垂直于所述組合能量斑運動方向上的分量,D1為所述第一聚焦能量斑的有效直徑,D2為所述第二聚焦能量斑的有效直徑;
所述組合能量斑運動方向具體為所述第一聚焦能量斑運動方向,或為所述第二聚焦能量斑運動方向,或為所述第一聚焦能量斑和所述第二聚焦能量斑合成運動方向;
所述預設值為保持不變的固定值,或為根據線路線寬變化而相應變化的動態值。
2.根據權利要求1所述的線路結構蝕刻方法,其特征在于:所述組合能量斑運動時,控制所述第一聚焦能量斑和所述第二聚焦能量斑相對靜止,從而使所述預設值為保持不變的固定值。
3.根據權利要求1所述的線路結構蝕刻方法,其特征在于:所述第一能量束和所述第二能量束為能量粒子束;或,所述第一能量束和所述第二能量束為光子束。
4.根據權利要求3所述的線路結構蝕刻方法,其特征在于:所述第一能量束和所述第二能量束為光子束,所述光子束為激光束。
5.根據權利要求1所述的線路結構蝕刻方法,其特征在于:所述組合能量斑在所述待加工工件表面運動的過程中,所述組合能量斑的第一聚焦能量斑和所述第二聚焦能量斑之間的中心連線與所述組合能量斑運動方向之間的夾角可控。
6.根據權利要求5所述的線路結構蝕刻方法,其特征在于:所述第一聚焦能量斑和所述第二聚焦能量斑之間的中心連線與所述組合能量斑運動方向之間的夾角范圍為70度到110度之間。
7.根據權利要求5所述的線路結構蝕刻方法,其特征在于:所述第一能量束為一束或者多束組合的激光束,或/和,所述第二能量束為一束或者多束組合的激光束。
8.根據權利要求7所述的線路結構蝕刻方法,其特征在于:所述第一能量束和所述第二能量束由一束激光束經過激光分束裝置分束獲得,所述第一聚焦能量斑和所述第二聚焦能量斑之間的中心連線與所述組合能量斑運動方向之間的夾角通過旋轉所述激光束分束裝置進行控制。
9.根據權利要求7所述的線路結構蝕刻方法,其特征在于:所述第一能量束和第二能量束由一束激光束經過空間光調制器分束獲得,所述第一聚焦能量斑和所述第二聚焦能量斑之間的中心連線與所述組合能量斑運動方向之間的夾角通過所述空間光調制器控制所述第一能量束和所述第二能量束的平面法線與所述所述組合能量斑運動方向的夾角獲得。
10.根據權利要求1至9任一項所述的線路結構蝕刻方法,其特征在于:所述第一能量束和所述第二能量束為激光束,通過控制反射光學元件反射掃描和/或透射光學元件折射掃描和/或衍射光學器件衍射掃描和/或聲光器件偏轉掃描和/或平臺驅動待加工工件運動,實現控制所述組合能量斑在所述待加工工件表面運動。
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