[發(fā)明專利]顯示模組及其制作方法、顯示設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010105227.8
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN111293150A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐古勝;林立
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 娜拉

1.一種顯示模組，其特征在于，包括：

顯示面板，所述顯示面板呈柔性；

觸控層，位于所述顯示面板的出光側(cè)；

偏光片，位于所述觸控層的背離所述顯示面板側(cè)；

柔性蓋板，位于所述偏光片的背離所述顯示面板側(cè)；以及

應(yīng)力阻隔層，所述應(yīng)力阻隔層設(shè)置于所述觸控層、所述偏光片、或所述柔性蓋板的至少一者的至少一個表面，所述應(yīng)力阻隔層具有平行于所述顯示面板方向的張應(yīng)力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示模組，其特征在于，每層所述應(yīng)力阻隔層的成膜應(yīng)力為-150兆帕至150兆帕。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示模組，其特征在于，所述應(yīng)力阻隔層包括氮化硅層、氧化硅層、或氮氧化硅層中的至少一者。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示模組，其特征在于，每層所述應(yīng)力阻隔層的厚度為80納米至120納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示模組，其特征在于，所述應(yīng)力阻隔層包括以下中的至少任一：

第一應(yīng)力阻隔層，設(shè)置于所述觸控層的朝向所述顯示面板的表面；

第二應(yīng)力阻隔層，設(shè)置于所述偏光片的背離所述顯示面板的表面；

第三應(yīng)力阻隔層，設(shè)置于所述柔性蓋板的朝向所述顯示面板的表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示模組，其特征在于，還包括：

表面硬化層，設(shè)置于所述柔性蓋板的背離所述顯示面板的表面。

7.一種顯示設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的顯示模組。

8.一種顯示模組的制作方法，其特征在于，包括：

提供呈柔性的顯示面板；

在所述顯示面板的出光側(cè)形成觸控層；

在所述觸控層的背離所述顯示面板側(cè)形成偏光片；

在所述偏光片的背離所述顯示面板側(cè)形成柔性蓋板；以及

在所述觸控層、所述偏光片、或所述柔性蓋板的至少一者的至少一個表面形成應(yīng)力阻隔層，所述應(yīng)力阻隔層具有平行于所述顯示面板方向的張應(yīng)力。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示模組的制作方法，其特征在于，所述形成應(yīng)力阻隔層的步驟包括通過等離子體增強化學(xué)氣相淀積工藝形成所述應(yīng)力阻隔層，其中：

形成所述應(yīng)力阻隔層的材料包括硅烷、氨氣、二氧化氮、氫氣、氮氣中的至少一種；

所述等離子體增強化學(xué)氣相淀積工藝的工藝溫度為80攝氏度至90攝氏度；

每層所述應(yīng)力阻隔層的成膜應(yīng)力為-150兆帕至150兆帕。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示模組的制作方法，其特征在于，所述應(yīng)力阻隔層包括氮化硅層、氧化硅層、或氮氧化硅層中的至少一者；

每層所述應(yīng)力阻隔層的厚度為80納米至120納米。