[發明專利]一種芯片與TSV硅基板的倒扣焊接方法有效
| 申請號： | 202010105222.5 | 申請日： | 2020-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN111293046B | 公開（公告）日： | 2022-05-03 |
| 發明（設計）人： | 薛亞慧;楊宇軍;鄭毅;皇甫蓬勃;米星宇;李寶霞;李夢琳;劉金梅 | 申請（專利權）人： | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號： | H01L21/603 | 分類號： | H01L21/603;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 李紅霖 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 tsv 硅基板 倒扣 焊接 方法 | ||
1.一種芯片與TSV硅基板的倒扣焊接方法，其特征在于，包括以下步驟：
1）在TSV硅基板正面制備若干焊料凸臺，所述焊料凸臺的位置與焊芯片上的凸點焊接材料對應設置；
2）對焊芯片和TSV硅基板進行對位，對位完成后進行焊接，焊接溫度大于等于焊料凸臺的熔點，小于270℃，焊接溫度為220℃；焊接完成后形成倒扣焊組件；
步驟1）中的焊料凸臺的熔點為183-220℃；
還包括對所述倒扣焊組件的后處理，所述后處理包括：
對倒扣焊組件進行真空汽相清洗，并進行底部填充；
在倒扣焊組件的背面進行BGA植球；
將倒扣焊組件通過BGA焊球焊接至陶瓷管殼內，實現芯片與外殼的互連。
2.根據權利要求1所述的芯片與TSV硅基板的倒扣焊接方法，其特征在于，步驟1）中的焊料凸臺的材料為Sn63Pb37、SnAg或Cu/Ni/SnAg。
3.根據權利要求1所述的芯片與TSV硅基板的倒扣焊接方法，其特征在于，步驟1）中的焊料凸臺為圓柱形或球形。
4.根據權利要求3述的芯片與TSV硅基板的倒扣焊接方法，其特征在于，當焊料凸臺為圓柱形時，利用回流方式進行倒扣焊接。
5.根據權利要求3述的芯片與TSV硅基板的倒扣焊接方法，其特征在于，當焊料凸臺為球形時，利用熱壓方式進行倒扣焊接。
6.根據權利要求1所述的芯片與TSV硅基板的倒扣焊接方法，其特征在于，所述BGA焊球的材料為Sn63Pb37。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
