[發明專利]半導體存儲器的制作方法

有效

• 申請號: 202010105005.6
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN113284797B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 劉浩東
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/02
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發明實施例提供一種半導體存儲器的制作方法，半導體存儲器的制作方法包括：提供待處理部，且至少在最小等待時間后對所述待處理部進行預設工藝步驟；在進行所述預設工藝步驟之前，對所述待處理部進行熱氧化工藝；在進行所述預設工藝步驟之前，進行清潔工藝，所述清潔工藝用于去除所述待處理部表面的氧化物，所述氧化物全部或部分由所述熱氧化工藝生成。本發明有利于提高待處理部表面氧化物的均一性，避免清潔工藝對待處理部造成損傷，從而提高半導體存儲器的性能。

技術領域

本發明實施例涉及半導體領域，特別涉及一種半導體存儲器的制作方法。

背景技術

現有技術中，對于復雜的精細結構，通常采用自動化和流程化的方式進行制造。一個初始部件需要經過多個工藝步驟而形成達到預設要求的成品或半成品。

由于多個工藝步驟通常是連續進行的，因此上一個工藝步驟所形成的完成件會作為初始件進行下一工藝步驟。目前，通常默認上一工藝步驟所形成的完成件的性能參數與下一工藝步驟的初始件的性能參數相同，或者在進行下一工藝步驟之前對部件進行一些簡單的處理工藝。

現有的處理工藝存在有待改進的地方。

發明內容

本發明實施例提供一種半導體存儲器的制作方法，有利于提高待處理部表面氧化物的均一性，避免清潔工藝對待處理部造成損傷，從而提高半導體存儲器的性能。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種半導體存儲器的制作方法，包括：提供待處理部，且至少在最小等待時間后對所述待處理部進行預設工藝步驟；在進行所述預設工藝步驟之前，對所述待處理部進行熱氧化工藝；在進行所述預設工藝步驟之前，進行清潔工藝，所述清潔工藝用于去除所述待處理部表面的氧化物，所述氧化物全部或部分由所述熱氧化工藝生成。

另外，采用氧等離子體進行所述熱氧化工藝處理。如此，有利于提高熱氧化工藝的工藝速率，縮短熱氧化工藝所需時間。

另外，產生所述氧等離子體所采用的第一射頻功率范圍為3500W～4400W。

另外，所述熱氧化工藝采用的工藝溫度為60℃～120℃。如此，有利于避免熱氧化工藝對待處理部的性能造成影響。

另外，所述熱氧化工藝的步驟包括：對所述待處理部進行加熱處理，以使所述待處理部的溫度上升至第一溫度，且所述加熱處理過程中反應腔室內具有第一壓強；在所述加熱處理之后，使所述待處理部的溫度保持在所述第一溫度，并提供氧源氣體，以使所述反應腔室內的壓強由所述第一壓強增加至第二壓強；在所述反應腔室內壓強增加至所述第二壓強之后，開啟射頻電源。

另外，所述第二壓強為900Torr-1500Torr。如此，有利于提高熱氧化工藝的工藝速率。

另外，在所述加熱處理之后，提供所述氧源氣體和催化氣體；其中，所述氧源氣體為O₂，所述氧源氣體的流量為13000sccm，所述催化氣體為N₂H₄，所述催化氣體的流量為1300sccm。如此，有利于進一步提高熱氧化工藝的工藝速率。

另外，所述清潔工藝的步驟包括：提供所述氧源氣體，并調整所述待處理部的溫度、所述反應腔室內的壓強以及所述射頻電源的功率，以使所述待處理部的溫度下降至第二溫度、所述反應腔室內的壓強下降至第三壓強以及所述射頻電源的功率下降至第二射頻功率；在所述調整之后，使反應腔室內的壓強保持在所述第三壓強，并將部分所述氧源氣體替換為反應氣體，所述反應氣體用于去除所述氧化物。如此，有利于保證反應腔室內的壓強穩定性。

另外，所述待處理部的材料包括鎢，所述氧化物為氧化鎢，所述氧源氣體包括O₂或O₃，所述反應氣體包括含氟氣體或者氨氣。

另外，所述氧源氣體為氧氣，所述氧源氣體的流量為3960sccm；所述反應氣體為CF₄，所述反應氣體的流量為40sccm。