[發(fā)明專利]顯示裝置、顯示面板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010104934.5 | 申請日: | 2020-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN111293148B | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 胡靜;樊浩原;王子峰;徐海峰;謝艷春;唐俊杰;李易峰 | 申請(專利權)人: | 綿陽京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 621000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
本公開是關于一種顯示裝置、顯示面板及其制造方法,涉及顯示技術領域。該顯示面板包括襯底、驅(qū)動層、隔離柱、發(fā)光器件層和通孔,襯底具有開孔區(qū)、圍繞開孔區(qū)的過渡區(qū)和圍繞過渡區(qū)的顯示區(qū)。驅(qū)動層設于襯底一側(cè),且覆蓋顯示區(qū)和過渡區(qū),驅(qū)動層位于過渡區(qū)的部分包括圍繞開孔區(qū)的反光層。隔離柱設于驅(qū)動層背離襯底的表面且位于過渡區(qū),隔離柱圍繞開孔區(qū),隔離柱在襯底的投影的輪廓線位于反光層在襯底的投影的輪廓線內(nèi)側(cè);隔離柱的側(cè)壁設有凹槽。發(fā)光器件層覆蓋驅(qū)動層和隔離柱,發(fā)光器件層包括發(fā)光層,發(fā)光層在凹槽處間斷。通孔貫穿驅(qū)動層和發(fā)光器件層,且位于開孔區(qū)。
技術領域
本公開涉及技術領域,具體而言,涉及一種顯示裝置、顯示面板及顯示面板的制造方法。
背景技術
在手機、平板電腦等電子設備中,經(jīng)常需要在顯示面板中開孔,以便設置攝像頭和傳感器等電子器件。對于OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)顯示面板而言,外界的水氧可能會由開孔位置沿發(fā)光層進入顯示面板內(nèi)部,對顯示面板內(nèi)部造成侵蝕,而現(xiàn)有顯示面板防止水氧侵蝕的效果有待提高,影響顯示效果。
需要說明的是,在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的目的在于克服上述現(xiàn)有技術的不足,提供一種顯示裝置、顯示面板及其制造方法,可提升阻擋水氧侵蝕的效果。
根據(jù)本公開的一個方面,提供一種顯示面板,包括:
襯底,具有開孔區(qū)、圍繞所述開孔區(qū)的過渡區(qū)和圍繞所述過渡區(qū)的顯示區(qū);
驅(qū)動層,設于所述襯底一側(cè),且覆蓋所述顯示區(qū)和所述過渡區(qū),所述驅(qū)動層位于所述過渡區(qū)的部分包括圍繞所述開孔區(qū)的反光層;
隔離柱,設于所述驅(qū)動層背離所述襯底的表面且位于所述過渡區(qū),所述隔離柱圍繞所述開孔區(qū),所述隔離柱在所述襯底的投影的輪廓線位于所述反光層在所述襯底的投影的輪廓線內(nèi)側(cè);所述隔離柱的側(cè)壁設有凹槽;
發(fā)光器件層,覆蓋所述驅(qū)動層和所述隔離柱,所述發(fā)光器件層包括發(fā)光層,所述發(fā)光層在所述凹槽處間斷;
通孔,貫穿所述驅(qū)動層和所述發(fā)光器件層,且位于所述開孔區(qū)。
在本公開的一種示例性實施例中,所述驅(qū)動層對應于所述反光層的區(qū)域形成有與所述反光層形狀匹配的凸臺,所述隔離柱設于凸臺背離所述襯底的表面。
在本公開的一種示例性實施例中,在垂直于所述襯底的方向上,所述驅(qū)動層對應于所述隔離柱的部分具有多層所述反光層。
在本公開的一種示例性實施例中,在垂直于所述襯底的方向上相鄰的兩層所述反光層中,背離所述襯底的反光層在所述襯底的投影的輪廓線位于靠近所述襯底的反光層在所述襯底的投影的輪廓線內(nèi)側(cè)。
在本公開的一種示例性實施例中,所述反光層在所述襯底的投影的輪廓線與所述隔離柱在所述襯底的投影的輪廓線的間距大于1μm。
在本公開的一種示例性實施例中,所述隔離柱的數(shù)量為多個,各所述隔離柱同心圍繞所述開孔區(qū)設置;
在垂直于所述襯底的方向上,所述驅(qū)動層對應于每個所述隔離柱的部分均具有多層所述反光層。
在本公開的一種示例性實施例中,在垂直于所述襯底的方向上,所述驅(qū)動層對應于所述隔離柱的部分具有兩層所述反光層;
所述驅(qū)動層包括位于所述顯示區(qū)的薄膜晶體管和電容電極,所述薄膜晶體管的柵極和所述電容電極形成存儲電容;
所述柵極與一所述反光層同層設置,所述電容電極與另一所述反光層同層設置,所述薄膜晶體管的源極、漏極和所述隔離柱同層設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





