[發明專利]一種微球腔的制備方法

有效

• 申請號: 202010104921.8
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN111313218B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 姜校順;李勝軍;李昊;劉洋;肖敏
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: H01S3/08
• 分類號: H01S3/08
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種微球腔的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

(1)選取基片，所述基片包括相復合的支撐層和器件層；

(2)在所述基片的器件層上形成光刻膠層，經過光刻和顯影后，在所述器件層上形成光刻膠圓盤；

(3)以所述光刻膠圓盤作為掩模，刻蝕掉所述光刻膠圓盤區域之外的器件層材料，然后去除所述光刻膠圓盤，在所述支撐層上形成器件圓盤；

(4)刻蝕-回流：

刻蝕：刻蝕所述器件圓盤周圍的支撐層材料，形成支撐所述器件圓盤的支撐柱；回流：用激光照射所述器件圓盤，使所述器件圓盤的邊緣熔融并向內收縮至所述支撐柱頂端邊緣，形成器件環芯；

(5)對所述支撐柱和器件環芯重復進行所述刻蝕-回流的步驟，使所述支撐柱和器件環芯的直徑逐步縮小，直至形成微球腔；

所述刻蝕-回流的步驟中，每次刻蝕后，所述支撐柱頂端的直徑小于所述器件圓盤或器件環芯的直徑；

所述刻蝕-回流的步驟中，每次刻蝕后，所述支撐柱頂端半徑的減小值不超過所述器件層厚度的20倍；

所述器件層的厚度為1-12μm；

步驟(3)中所述器件圓盤的直徑為所述器件層厚度的120-150倍；

在每次回流之前，采用激光對所述器件圓盤或器件環芯進行預熱；

所述預熱采用的激光的波長為10.6μm，功率為使所述器件圓盤或器件環芯熔融的最低功率的40-100％，不包括100％。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述支撐層的材料為硅。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述器件層的材料為二氧化硅。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述刻蝕的方法為用氫氟酸溶液進行刻蝕。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)中去除所述光刻膠圓盤的方法為：用去膠劑進行溶解。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕-回流的步驟中，刻蝕的方法為用二氟化氙氣體進行刻蝕。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述回流的步驟中，采用的激光的波長為10.6μm，功率為15-30W。