[發明專利]一種巨量轉移方法

在審

• 申請號: 202010104752.8
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN113284819A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 安金鑫;林子平;李劉中;張雪;肖守均;黃嘉樺
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L27/15
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

本發明涉及發光二極管技術領域，具體涉及一種巨量轉移方法，其系統包括：提供一生長基底，生長基底上包括至少一個led芯片，至少一個led芯片中的每個led芯片包括第一金屬接觸點；將生長基底與預先準備好目標基底進行對位，使至少一個led芯片中的待轉移led芯片的第一金屬接觸點與目標基底上的目標金屬焊盤對準；利用激光對第一金屬接觸點進行加熱，使第一金屬接觸點熔融后與目標金屬焊盤相結合；利用激光對待轉移led芯片與生長基板的接觸面進行加熱，使生長基底與待轉移led芯片脫離。本發明在加工過程中僅需要經過一次轉移，其加工過程較為簡單，有效地節省了制造成本，有利于產品的大批量生產。

技術領域

本發明涉及發光二極管技術領域，具體涉及一種巨量轉移方法。

背景技術

微型發光二極管（Micro LED），即發光二極管微縮化和矩陣化技術, 其具有良好的穩定性，壽命，以及運行溫度上的優勢，同時也承繼了LED低功耗、色彩飽和度、反應速度快、對比度強等優點, 其具有極大的應用前景。

由微型發光二極管制作成顯示屏是顯示設備未來的主流發展方向；在現有的制造微型發光二極管的過程中，微型發光二極管陣列首先形成在生長基底上；然后，需要先將微型發光二極管陣列轉移到載體基底中，再經由載體基底轉移到接收基底中；其中，接收基底包括TFT背板。由于現有的加工方法相對復雜，其需要通過兩次轉移，故導致制造成本較高，不利產品的大批量生產。

發明內容

為克服上述缺陷，本發明的目的即在于提供一種操作簡便的Micro LED巨量轉移方法。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：

本發明是一種巨量轉移方法 ，包括：

提供一生長基底，所述生長基底上包括至少一個led芯片，所述至少一個led芯片中的每個led芯片包括第一金屬接觸點；

將所述生長基底與預先準備好目標基底進行對位，使所述至少一個led芯片中的待轉移led芯片的第一金屬接觸點與所述目標基底上的目標金屬焊盤對準；

利用激光對所述第一金屬接觸點進行加熱，使所述第一金屬接觸點熔融后與所述目標金屬焊盤相結合；

利用激光對所述待轉移led芯片與所述生長基板的接觸面進行加熱，使所述生長基底與所述待轉移led芯片脫離。

在本發明中，所述利用激光對所述第一金屬接觸點進行加熱包括：

利用第一激光對所述生長基底進行照射，使所述第一激光的光束穿過所述生長基底和所述led芯片的發光部后聚焦到所述第一金屬接觸點上，對所述第一金屬接觸點進行加熱。

在本發明中，所述第一激光光束的光子能量介于所述生長基底和與所述發光部的能隙之間。

在本發明中，所述利用激光對所述待轉移led芯片與所述生長基板的接觸面進行加熱包括：

利用第二激光對所述生長基底進行照射，使所述第二激光的光束穿過所述生長基底后聚焦到所述待轉移led芯片與所述生長基板的接觸面上，對所述接觸面所在的發光部進行加熱。

在本發明中，所述第二激光的波長為200nm-355nm。

在本發明中，所述提供一生長基底包括：

在所述生長基底上形成外延層，在所述外延層上形成第一金屬接觸點，對所述第一金屬接觸點進行圖案化處理，并按所述第一金屬接觸點上的圖案對所述外延層進行蝕刻，形成所述至少一個led芯片。

在本發明中，所述第一金屬接觸點中的金屬材料的熔點低于所述目標金屬焊盤中的金屬材料的熔點。

在本發明中，所述生長基底為藍寶石襯底，所述外延層由氮化鎵組成。