[發明專利]沉積處理方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202010104442.6
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN111627789A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 宇藤敦司;昆泰光;李黎夫;永井勇次
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種沉積處理方法，

在使用基于第1處理條件生成的第1等離子體使沉積物沉積于基板的工序中，

在從進行所述沉積的工序之前執行的前工序向進行所述沉積的工序轉移時，在直至所述第1等離子體的狀態穩定為止的期間，控制為相比于所述第1處理條件不使所述沉積物沉積于基板的條件。

2.一種沉積處理方法，

在使用基于第1處理條件生成的第1等離子體使沉積物沉積于基板的工序中，

在使所述第1等離子體的狀態停止時，從相比于使所述第1等離子體的狀態停止的時刻早預先決定的時間的時刻至使所述第1等離子體的狀態停止為止的期間，控制為相比于所述第1處理條件不使所述沉積物沉積于基板的條件。

3.根據權利要求1所述的沉積處理方法，其特征在于，

基于第2處理條件執行所述前工序，

所述第2處理條件與所述第1處理條件不同。

4.根據權利要求3所述的沉積處理方法，其特征在于，

在所述前工序中不生成等離子體。

5.根據權利要求3或4所述的沉積處理方法，其特征在于，

在使用基于與所述第1處理條件不同的第n處理條件生成的第n等離子體使沉積物沉積于基板的工序中，其中，n≥3，

在從使用所述第1等離子體進行所述沉積的工序向使用所述第n等離子體進行所述沉積的工序轉移時，在直至所述第n等離子體的狀態穩定為止的期間，控制為相比于所述第n處理條件不使所述沉積物沉積于基板的條件。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的沉積處理方法，其特征在于，

直到表示第n等離子體的狀態的值在規定以上收斂于預先決定的正常的范圍內為止的期間，控制為相比于第n處理條件不使所述沉積物沉積于基板的條件，其中，n＝1或n≥3。

7.根據權利要求1至6中的任一項所述的沉積處理方法，其特征在于，

相比于第n處理條件不使所述沉積物沉積于基板的條件是包括去除沉積性的前體的氣體，其中，n＝1或n≥3。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的沉積處理方法，其特征在于，

相比于第n處理條件不使所述沉積物沉積于基板的條件是包括相比于所述第n處理條件所包括的氣體降低沉積性的前體的比例的氣體和/或包括相比于所述第1處理條件中包括的氣體提高反應性的前體的比例的氣體，其中，n＝1或n≥3。

9.一種等離子體處理裝置，

具有腔室和控制部，

其中，所述控制部用于向所述腔室內提供基板，并且在使用基于第1處理條件生成的第1等離子體使沉積物沉積于基板的工序中，在從進行所述沉積的工序之前執行的前工序向進行所述沉積的工序轉移時，在直至所述第1等離子體的狀態穩定為止的期間，所述控制部控制為相比于所述第1處理條件不使所述沉積物沉積于基板的條件。

10.一種等離子體處理裝置，

具有腔室和控制部，

其中，所述控制部用于向所述腔室內提供基板，并且在使用基于第1處理條件生成的第1等離子體使沉積物沉積于基板的工序中，在使所述第1等離子體的狀態停止時，在從相比于使所述第1等離子體的狀態停止的時刻早預先決定的時間的時刻至使所述第1等離子體的狀態停止為止的期間，所述控制部控制為相比于所述第1處理條件不使所述沉積物沉積于基板的條件。