[發明專利]透光性導電薄膜

在審

• 申請號: 202010104417.8
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN111613365A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 梶原大輔;藤野望
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

提供加熱時的結晶化速度及保存性良好的透光性導電薄膜。透光性導電薄膜(1)具備：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上側的非晶質透光性導電層(5)，非晶質透光性導電層(5)能轉化為結晶質，非晶質透光性導電層(5)的厚度超過40nm，非晶質透光性導電層(5)的載流子密度為40×10¹⁹/cm³以上。

技術領域

本發明涉及透光性導電薄膜，詳細而言涉及適合用于光學用途的透光性導電薄膜。

背景技術

以往以來，具備透明導電層的透明導電性薄膜用于圖像顯示裝置內的觸摸面板用基材等。例如，專利文獻1中公開了具備高分子薄膜和由銦錫復合氧化物(ITO)形成的透明導電層的透明導電性薄膜。

對于這樣的透明導電性薄膜，通常，通過對非晶質的ITO進行加熱而使其結晶化，提高透明導電層的導電性(低電阻)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-134085號公報

發明內容

發明要解決的問題

但是，對于專利文獻1的透明導電性薄膜，透明導電層的結晶化速度不充分，要求速度的進一步提高。即，要求以短時間使透明導電性薄膜結晶化。

另一方面，若提高加熱時的結晶化速度，則變得即使在常溫等低溫條件下也容易結晶化。即，在結晶化前(商品上市前)暫時在例如倉庫等中保存時，會發生不希望發生的結晶化。該情況下，透明導電層由于部分進行結晶化，因此，在其后的加熱時的結晶化工序中，會發生如下不良情況：在保存時產生的結晶化部分與非晶質部分的邊界處產生應變，產生裂紋等。即，保存性差。

本發明提供加熱時的結晶化速度及保存性良好的透光性導電薄膜。

用于解決問題的方案

本發明[1]包含一種透光性導電薄膜，其具備：透明基材、和配置于前述透明基材的厚度方向一側的非晶質透光性導電層，前述非晶質透光性導電層能轉化為結晶質，前述非晶質透光性導電層的厚度超過40nm，前述非晶質透光性導電層的載流子密度為40×10¹⁹/cm³以上。

本發明[2]包含[1]所述的透光性導電薄膜，其中，前述非晶質透光性導電層含有銦系無機氧化物。

本發明[3]包含[1]或[2]所述的透光性導電薄膜，其中，前述非晶質透光性導電層為含有銦和1種以上雜質無機元素的銦系無機氧化物層。

發明的效果

根據本發明的透光性導電薄膜，加熱時的結晶化速度及保存性良好。因此，即使將本發明的透光性導電薄膜保存一定時間后，也能夠抑制裂紋的發生、并以短時間使透光性導電薄膜結晶化。

附圖說明

圖1示出本發明的透光性導電薄膜的一實施方式的截面圖。

圖2示出將圖1所示的透光性導電薄膜結晶化而成的結晶質透光性導電薄膜的截面圖。

附圖標記說明

1 透光性導電薄膜

2 透明基材

5 非晶質透光性導電層

具體實施方式

一實施方式

參照圖1～圖2，對本發明的透光性導電薄膜1的一實施方式進行說明。