[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010103957.4
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN111312913A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃海濤;于勇;徐傳祥;舒適;李翔;岳陽
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 尚偉凈

本發(fā)明提出了顯示裝置，該顯示裝置包括：顯示背板；彩膜基板，且彩膜基板與顯示背板是對盒設(shè)置的；納米金屬光柵結(jié)構(gòu)，該納米金屬光柵結(jié)構(gòu)設(shè)置在彩膜基板靠近顯示背板的一側(cè)。本發(fā)明所提出的顯示裝置，將顯示裝置中的彩色濾光片替換成納米金屬光柵結(jié)構(gòu)，利用納米金屬光柵的表面等離子共振效應(yīng)實(shí)現(xiàn)增透降反的效果，且納米金屬光柵結(jié)構(gòu)的偏振光透過率達(dá)到90％以上，同時(shí)還可以防止熄屏狀態(tài)下外界光進(jìn)入顯示裝置激發(fā)量子點(diǎn)發(fā)光。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的，本發(fā)明涉及顯示裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)階段高端的大尺寸顯示產(chǎn)品，主要采用白光有機(jī)發(fā)光二極管+彩膜(WOLED+CF)、量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)，而處于開發(fā)階段的顯示技術(shù)還有量子點(diǎn)-有機(jī)發(fā)光二極管(QD-OLED)、打印(IJP)OLED、量子點(diǎn)彩膜-液晶顯示(QDCF-LCD)、打印電致發(fā)光(IJP QDEL)、微發(fā)光二級(jí)光(Micro LED)等。而對于自發(fā)光型的大尺寸顯示技術(shù)，QD-OLED在3～5年內(nèi)很有潛力能夠挑戰(zhàn)過WOLED+CF，從而創(chuàng)造出全新的市場局面。

其中，QD-OLED具有潛在的技術(shù)優(yōu)勢，例如高分辨率、高色域和高色純度，不具有視角依賴性，另外還有具有應(yīng)用在大型產(chǎn)品或高色域產(chǎn)品的潛力，也能兼容于中型的超高清(UHD)且高價(jià)值的產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是基于發(fā)明人的下列發(fā)現(xiàn)而完成的：

本發(fā)明人在研究過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的QD-OLED顯示結(jié)構(gòu)中，紅綠藍(lán)(RGB)三種子像素單元中的兩種都需要設(shè)置彩色濾光片，而彩色濾光片的通過率只有80％左右，從而導(dǎo)致顯示裝置的亮度較低，并且，在熄屏狀態(tài)下可防止外界光對QD激發(fā)的材料來源并不廣泛。所以，本發(fā)明的發(fā)明人采用納米金屬光柵結(jié)構(gòu)代替彩色濾光片，可以實(shí)現(xiàn)增透降反的效果，且的偏振光透過率達(dá)到90％以上，同時(shí)還可以防止在熄屏狀態(tài)下外界光進(jìn)入激發(fā)量子點(diǎn)發(fā)光。此外，納米金屬光柵結(jié)構(gòu)可使顯示裝置的結(jié)構(gòu)厚度更薄，從而還能降低顯示裝置的整體厚度，提高產(chǎn)品的附加值。

在本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提出了一種顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述顯示裝置包括：顯示背板；彩膜基板，所述彩膜基板與所述顯示背板對盒設(shè)置；納米金屬光柵結(jié)構(gòu)，所述納米金屬光柵結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述彩膜基板靠近所述顯示背板的一側(cè)。

本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置，將顯示裝置中的彩色濾光片替換成納米金屬光柵結(jié)構(gòu)，利用納米金屬光柵的表面等離子共振效應(yīng)實(shí)現(xiàn)增透降反的效果，且納米金屬光柵結(jié)構(gòu)的偏振光透過率達(dá)到90％以上，同時(shí)還可以防止熄屏狀態(tài)下外界光進(jìn)入顯示裝置激發(fā)量子點(diǎn)發(fā)光。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的顯示裝置，還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述納米金屬光柵結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)層和金屬層，其中，所述介質(zhì)層由同層且間隔設(shè)置的多個(gè)凸起組成，所述金屬層設(shè)置在所述凸起遠(yuǎn)離所述彩膜基板的表面或填充在相鄰的兩個(gè)所述凸起之間。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述介質(zhì)層的厚度為50～100nm，且所述金屬層的厚度為40～60nm。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述納米金屬光柵結(jié)構(gòu)的占空比為0.5～0.75。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述納米金屬光柵結(jié)構(gòu)通過光刻工藝或壓印工藝形成的。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述顯示裝置包括多個(gè)陣列分布的像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一子像素單元、第二子像素單元和第三子像素單元；且三個(gè)所述子像素單元中的任意兩個(gè)內(nèi)，所述納米金屬光柵結(jié)構(gòu)靠近所述顯示背板的一側(cè)都設(shè)置有光致發(fā)光層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述顯示背板上的有機(jī)發(fā)光層發(fā)出第一顏色的光；所述第二子像素單元中的所述光致發(fā)光層，在所述第一顏色的光激發(fā)下發(fā)出第二顏色的光；所述第三子像素單元中的所述光致發(fā)光層，在所述第一顏色的光激發(fā)下發(fā)出第三顏色的光。